[发明专利]一种阻变存储器的存储控制方法、电路及存储芯片

说明书

本申请公开一种阻变存储器的存储控制方法、电路及存储芯片，涉及半导体技术领域，能够灵活的调节写入数据所用的脉冲信号，以提高阻变存储器的使用寿命。阻变存储器的存储控制方法，包括：利用写操作脉冲信号，对阻变存储器的目标存储单元执行写操作；判断所述写操作是否成功，若所述写操作失败，则调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种阻变存储器的存储控制方法、电路及存储芯片。

背景技术

目前，RRAM(阻变式存储器)的应用越来越广泛。在对RRAM存储单元进行写操作的过程中，存储单元的阻值是随时变化的，流过存储单元的电流值也在不停地变化；如果处在阻值减小、电流变大的过程中，则相应的大电流会导致存储数据出现误翻转，甚至有可能造成器件的永久损坏。

然而，在现有的写操作过程，对用于写入数据的脉冲信号的参数调节机制的灵活性不足，容易折损阻变存储器的使用寿命。

发明内容

本申请实施例提供一种阻变存储器的存储控制方法、电路及存储芯片，能够灵活的调节写入数据所用的脉冲信号，以提高阻变存储器的使用寿命。

本申请实施例的第一方面，提供一种阻变存储器的存储控制方法，包括：

利用写操作脉冲信号，对阻变存储器的目标存储单元执行写操作；

判断所述写操作是否成功，若所述写操作失败，则调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。

在一些实施方式中，所述判断所述写操作是否成功，包括：

获取所述目标存储单元内被写入的实际数据，以及获取所述写操作的目标数据对应的目标范围；

判断所述实际数据是否落入所述目标范围内，若所述实际数据未落入所述目标范围内，则判定所述写操作失败。

在一些实施方式中，若所述写操作失败，则调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值，包括：

若所述写操作失败，则判断所述写操作对应的循环时长是否超时；

若所述写操作对应的循环时长未超时，则调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值；

若所述写操作对应的循环时长已经超时，则确定所述目标存储单元的寿命耗尽。

在一些实施方式中，所述调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值之前，包括：

获取所述目标存储单元的存储特性参数；

所述调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值，包括：

根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值。

在一些实施方式中，所述根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值之前，包括：

获取脉冲调节参数；

根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，在所述脉冲调节参数中选择目标脉冲参数；

按照所述目标脉冲参数，调节所述写操作脉冲信号的脉冲持续时长和脉冲幅值。

在一些实施方式中，所述根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，调节所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值，包括：

根据所述目标存储单元的所述存储特性参数，增大所述写操作脉冲信号的所述脉冲持续时长和所述脉冲幅值；或，