[发明专利]一种在金属表面制备还原石墨烯薄膜的方法

权利要求书

1.一种在金属表面制备还原石墨烯薄膜的方法，其特征在于，在聚乙烯醇作为添加剂的条件下，用金属对氧化石墨烯进行还原，在金属表面均匀生成一层石墨烯薄膜。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)将氧化石墨烯溶胶稀释至合适浓度；

(2)加入聚乙烯醇溶液，分散均匀；

(3)加入金属箔；

(4)反应一定时间后，将金属箔取出，自然晾干，得到覆盖有一层石墨烯薄膜的金属箔。

3.根据权利要求2所述方法，其特征在于，反应温度为室温-80℃，优选为40-60℃，进一步优选为60℃。

4.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述氧化石墨烯选自石墨经氧化剥离得到的产物；优选地，所述的氧化方法优选自Hummers法。

5.根据权利要求2所述方法，其特征在于，步骤(1)所述氧化石墨烯溶胶的合适浓度为0.1-10mg/mL，进一步优选为2-4mg/mL。

6.根据权利要求2所述方法，其特征在于，步骤(2)所用的聚乙烯醇溶液为0.1-6mg/mL；进一步优选为加入后,溶液中PVA的浓度为1mg/mL。

7.根据权利要求2所述方法，其特征在于，步骤(3)中的金属箔厚度为0.001-5mm，优选0.1-0.5mm；金属种类为铟(In)、铜(Cu)、铁(Fe)、锌(Zn)、铝(Al)、镍(Ni)、钛(Ti)金属单质中任意一种，进一步优选为In，Cu，Ni。

8.根据权利要求2所述方法，其特征在于，步骤(4)的反应时间大于1h，优选为1-4h，进一步优选为1h。

9.一种根据上述权利要求任一项所述方法制备得到的石墨烯薄膜，其特征在于，所述石墨烯薄膜的碳元素和氧元素的摩尔比≥8，优选≥9；所述石墨烯薄膜的导电率800S/m，优选900S/m。

10.根据权利要求9所述石墨烯薄膜作为用于能量储存的活性材料的应用，其特征在于，所述应用为锂离子电池、超级电容器、微纳电子器件、集成电路。