[发明专利]字线电压产生电路及存储器

权利要求书

1.一种字线电压产生电路，其特征在于，包括：

电压源产生电路，用于提供电压源；

缓冲电路，一端与所述电压源产生电路的一端电连接，所述缓冲电路用于根据所述电压源生成缓冲电压；

擦写编程控制电压及产生电路，一端连接所述缓冲电路的另一端，所述擦写编程控制电压及产生电路的另一端连接所述电压源产生电路的另一端，所述擦写编程控制电压及产生电路用于在擦除使能信号为高电平的情况下，根据所述缓冲电压的驱动生成第一未选中字线电压，在编程信号为高电平的情况下，根据所述电压源的驱动生成第一选中字线电压。

2.根据权利要求1所述的字线电压产生电路，其特征在于，所述电压源产生电路包括：

运算放大器，负输入端连接参考电压，所述运算放大器的正输入端连接第一电阻的一端和第二电阻的第一端，所述运算放大器的输出端连接第一PMOS管的栅极和第一电容的上极板；

所述第一PMOS管，源极连接第一电源，所述第一PMOS管的漏极分别连接所述缓冲电路和所述擦写编程控制电压及产生电路；

所述第一电容，下极板连接所述第一PMOS管的漏极；

所述第一电阻，另一端连接所述第一PMOS管的漏极；

逻辑控制电路，一端连接所述擦除使能信号，所述逻辑控制电路的另一端连接所述第二电阻的第二端，所述逻辑控制电路用于在所述擦除使能信号为高电平的情况下，调低所述第二电阻的阻值；

所述第二电阻，第三端接地。

3.根据权利要求1所述的字线电压产生电路，其特征在于，所述缓冲电路包括：

第一NMOS管，栅极分别连接所述电压源产生电路和所述擦写编程控制电压及产生电路的一端，所述第一NMOS管的源极连接第一电源，所述第一NMOS管的漏极分别连接第三电阻的一端和所述擦写编程控制电压及产生电路的另一端；

第三电阻，另一端接地。

4.根据权利要求1所述的字线电压产生电路，其特征在于，所述擦写编程控制电压及产生电路包括：

未选中字线电压产生电路，连接所述缓冲电路，所述未选中字线电压产生电路在擦除使能信号为高电平的情况下，根据所述缓冲电压的驱动生成第一未选中字线电压，在擦除使能信号为低电平的情况下，生成第二未选中字线电压；

选中字线电压产生电路，连接所述电压源产生电路，所述选中字线电压产生电路在编程使能信号为高电平的情况下，根据所述电压源的驱动生成第一选中字线电压；在编程使能信号为低电平的情况下，生成第二选中字线电压。

5.根据权利要求4所述的字线电压产生电路，其特征在于，所述未选中字线电压产生电路包括：

第一传输门，第一控制端连接所述擦除使能信号，所述第一传输门的输入端连接所述缓冲电路，所述第一传输门的第二控制端分别连接第一反相器的输出端和第二传输门的第一控制端，所述第一传输门的输出端连接所述第二传输门的输出端；

所述第二传输门，第二控制端连接所述使能控制信号，所述第二传输门的输入端接地；

第一反相器，输入端连接所述使能控制信号。

6.根据权利要求5所述的字线电压产生电路，其特征在于，所述第一传输门包括：

第二NMOS管，栅极连接所述擦除使能信号，所述第二NMOS管的漏极分别连接第二PMOS管的源极和所述缓冲电路，所述第二NMOS管的源极分别连接所述第二PMOS管的漏极和所述第二传输门的输出端；

所述第二PMOS管，栅极分别连接第一反相器的输出端和所述第二传输门的第一控制端。

7.根据权利要求5所述的字线电压产生电路，其特征在于，所述第二传输门包括：

第三NMOS管，栅极分别连接所述第一反相器的输出端和所述第一传输门的第二控制端，所述第三NMOS管的源极分别连接第三PMOS管的漏极和所述第一传输门的输出端，所述第三NMOS管的漏极接地；

所述第三PMOS管，栅极分别连接所述第一反相器的输入端和所述擦除使能信号，所述第三PMOS管的源极接地。