[发明专利]字线电压产生电路及存储器

说明书

本申请涉及FLASH集成电路技术领域，公开一种字线电压产生电路。电压源产生电路提供电压源；缓冲电路的一端与电压源产生电路的一端电连接，缓冲电路根据电压源生成缓冲电压；擦写编程控制电压及产生电路的一端连接缓冲电路的另一端，擦写编程控制电压及产生电路的另一端连接电压源产生电路的另一端，擦写编程控制电压及产生电路在擦除使能信号为高电平的情况下，根据缓冲电压的驱动生成第一未选中字线电压，在编程信号为高电平的情况下，根据电压源的驱动生成第一选中字线电压。本公开实施例不需要频率补偿电容就可以生成第一未选中字线电压和第一选中字线电压，使得应用本公开实施例的字线电压产生电路的芯片面积更小。本申请还公开一种存储器。

技术领域

本申请涉及FLASH集成电路技术领域，例如涉及一种字线电压产生电路及存储器。

背景技术

FLASH是一种非挥发存储器，FLASH包括存储阵列、行译码器，列选通器和读取电路。存储阵列在行方向由多个页面(page)构成，每个页面的选通信号为字线(WL)；在列方向由多个位线(BL)贯通。存储阵列在编程(PROG)时，选中的字线(WL_sel)数量为1，其他都是未选中的字线(WL_unsel)；在擦除时，WL_sel数量为2，其他都是WL_unsel。以128Mb的Flash为例，其典型的WL总数量是64000个，在编程时，WL_unsel数量是63999个；在ERASE时，WL_unsel数量是63998个。一个WL上寄生电容是0.5pF，那么在擦除时所有WL_unsel总的电容约为32nF，在编程时所有WL_sel总的电容约为0.5pF。现有技术中，存储阵列在擦除时，字线电压产生电路中的电压源产生电路输出端输出电压源给未选中字线电压产生电路，未选中字线电压产生电路在电压源的驱动下，生成未选中字线电压，未选中字线电压为未选中字线供电，此时，电压源产生电路输出端输出负载的等效电容为32nF。存储阵列在编程时，电压源产生电路输出端输出电压源给选中字线产生电路，选中字线产生电路在电压源的驱动下，生成选中字线电压，选中字线电压为选中字线供电，此时，电压源产生电路输出端输出负载的等效电容为0.5pF。由此，电压源产生电路输出端在擦除时的等效电容为未选中字线的32nF，在编程时的等效电容为选中字线的0.5pF，使得电压源产生电路输出端在擦除时和编程时的负载电容差异很大，为了电压源产生电路的环路频率稳定性，增加了一个电容值在100～300pF之间的频率补偿电容。但是100～300pF的频率补偿电容占用了很大的芯片面积，且增加了芯片的成本。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本公开实施例提供一种字线电压产生电路及存储器，以制作出面积更小的芯片。

在一些实施例中，所述字线电压产生电路包括：电压源产生电路，用于提供电压源；缓冲电路，一端与所述电压源产生电路的一端电连接，所述缓冲电路用于根据所述电压源生成缓冲电压；擦写编程控制电压及产生电路，一端连接所述缓冲电路的另一端，所述擦写编程控制电压及产生电路的另一端连接所述电压源产生电路的另一端，所述擦写编程控制电压及产生电路用于在擦除使能信号为高电平的情况下，根据所述缓冲电压的驱动生成第一未选中字线电压，在编程信号为高电平的情况下，根据所述电压源的驱动生成第一选中字线电压。

在一些实施例中，所述存储器，包括字线电压输出电路和如上述的字线电压产生电路，字线电压输出电路连接字线电压产生电路，字线电压输出电路用于根据选中字线电压和未选中字线电压生成输出字线电压。