[发明专利]一种晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法

权利要求书

1.一种晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

S1，在晶圆上制备可重构拓扑网络，并在其上覆盖绝缘层；

S2，在所述晶圆上制备凹槽，并进行钝化；

S3，将Chiplet放入所述凹槽中，并进行化学机械抛光，连接所述Chiplet和所述可重构拓扑网络；

S4，在所述晶圆上制备硅通孔和微凸点，并进行减薄；

S5，多层所述晶圆进行堆叠键合；

S6，将键合后的多层所述晶圆进行划片、封装。

2.根据权利要求1所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的所述晶圆上还制备有对位标记和电源网络。

3.根据权利要求2所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法，其特征在于，所述绝缘层通过沉积法制备。

4.根据权利要求3所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法，其特征在于，所述沉积法沉积的绝缘材料为二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法，其特征在于，所述凹槽通过湿法腐蚀和干法腐蚀制备。

6.根据权利要求5所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法，其特征在于，所述钝化为向所述凹槽内沉积钝化层。

7.根据权利要求6所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中将所述Chiplet放入所述凹槽后，使用绝缘介质将所述Chiplet固定在所述凹槽中。

8.根据权利要求7所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法，其特征在于，所述绝缘介质为二氧化硅或苯并环丁烯。

9.根据权利要求8所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法，其特征在于，所述硅通孔的制备步骤依次包括深孔刻蚀、深孔内壁绝缘、铜金属填充、化学机械抛光。

10.根据权利要求9所述的晶圆级可重构Chiplet集成结构的制备方法，其特征在于，所述微凸点通过溅射法制备。