[发明专利]限域型N掺杂Fe纳米颗粒及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202210095493.6 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114318412B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;骆兴芳;袁彩雷;胡策;俞挺;徐铿;周行 | 申请（专利权）人： | 江西师范大学 |
| 主分类号： | C25B11/091 | 分类号： | C25B11/091;C25B1/04;C25B1/27;C25B1/30;C25B3/26 |
| 代理公司： | 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126 | 代理人： | 张建新 |
| 地址： | 330000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 限域型 掺杂 fe 纳米 颗粒 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种在非晶碳基体中生长限域型N掺杂Fe纳米颗粒的方法，包括以下步骤：
用银胶将铁靶与碳靶表面粘结，形成两种材料的复合靶材，在真空条件下用激光烧蚀所述复合靶材，使碳和铁沉积在玻碳片基底上；沉积后，在惰性气体保护下，在500~700℃下退火，得到限域型Fe纳米颗粒；
将所述限域型Fe纳米颗粒放入射频等离子体化学气相沉积系统的反应器中，在N2氛围下处理，即得到限域型N掺杂Fe纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述真空条件的真空度为1~5×10-8 Torr，所述激光的波长为248 nm，沉积时间为5~10分钟。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为玻碳片。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性气体为Ar气。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火的时间为5~10分钟。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述射频等离子体的功率为100W，处理时间为2~10分钟。
7.根据权利要求1所述的限域型N掺杂Fe纳米颗粒作为OER电催化剂的应用。
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