[发明专利]改善STI平坦度的方法在审
| 申请号： | 202210097309.1 | 申请日： | 2022-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114496779A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 靳丹丹;沈耀庭;周春 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3115 | 分类号： | H01L21/3115;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 sti 平坦 方法 | ||
1.一种改善STI平坦度的方法，其特征在于，至少包括：
步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有阱，以及形成STI用以定义出有源区；
步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述STI和所述有源区的光刻胶层，光刻使得所述有源区以及所述STI部分裸露；
步骤三、对裸露的所述有源区和部分所述STI进行离子注入，以形成轻掺杂漏；
步骤四、利用非激活离子对裸露的所述有源区和所述STI进行部分离子注入，其中所述STI被离子注入的深度为第一深度，所述STI未被离子注入的深度为第二深度，所述第一深度与第二深度的差值小于10埃。
2.根据权利要求1所述的改善STI平坦度的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。
3.根据权利要求1所述的改善STI平坦度的方法，其特征在于：步骤二中的所述STI裸露的部分为长宽均为0.1微米至0.2微米的矩形。
4.根据权利要求1所述的改善STI平坦度的方法，其特征在于：步骤四中的所述非激活离子的元素种类为元素周期表中第四族或第零族。
5.根据权利要求4所述的改善STI平坦度的方法，其特征在于：步骤四中的所述非激活离子为硅离子、氩离子、氙离子和锗离子中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的改善STI平坦度的方法，其特征在于：步骤四中的所述离子注入的注入能量为1至60keV。
7.根据权利要求1所述的改善STI平坦度的方法，其特征在于：步骤四中的所述离子注入的注入剂量为1E14至5E16 atom/cm2。
8.根据权利要求1所述的改善STI平坦度的方法，其特征在于：步骤四中的所述离子注入采用倾斜和旋转角度进行，其中倾斜角度和旋转角度均为0度。
9.根据权利要求1所述的改善STI平坦度的方法，其特征在于：所述方法还包括步骤五、去除所述光刻胶层，之后利用后栅极工艺在同一所述阱上的所述轻掺杂漏间形成金属栅。
10.根据权利要求9所述的改善STI平坦度的方法，其特征在于：所述后栅极工艺包括：(1)在所述有源区形成伪栅；(2)在所述伪栅的侧壁形成侧墙；(3)对所述有源区重掺杂；(4)形成覆盖所述伪栅以及所述侧墙的层间介质层；(5)以化学机械平坦化研磨所述层间介质层，使得所述伪栅裸露；(6)去除所述伪栅，使得所述侧墙间形成沟槽；(7)在所述沟槽形成金属栅。
11.根据权利要求10所述的改善STI平坦度的方法，其特征在于：步骤(4)中的所述层间介质层的材料为二氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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