[发明专利]改善STI平坦度的方法在审

申请号：	202210097309.1	申请日：	2022-01-27
公开（公告）号：	CN114496779A	公开（公告）日：	2022-05-13
发明（设计）人：	靳丹丹;沈耀庭;周春	申请（专利权）人：	上海华力集成电路制造有限公司
主分类号：	H01L21/3115	分类号：	H01L21/3115;H01L21/8234
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	刘昌荣
地址：	201203***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	改善 sti 平坦方法
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【说明书】：

本发明提供一种改善STI平坦度的方法，提供衬底，衬底上形成有阱，还形成有STI用以定义出的有源区；在衬底上形成覆盖STI和有源区的光刻胶层，光刻使得有源区和部分STI裸露；对裸露的有源区和部分STI进行离子注入，用以形成轻掺杂漏；利用非激活离子对裸露的有源区和部分STI进行离子注入，其中STI被离子注入的深度为第一深度，未被离子注入的深度为第二深度，第一深度与第二深度的差值小于10埃。本发明改善了离子注入的STI区域与未进行离子注入的STI区域间高度的差异，便于去除伪栅，避免金属栅成型后的性能受到影响。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善STI平坦度的方法。

背景技术

STI(浅槽隔离)效应指的就是载流子随着到STI边缘的不同距离，而产生不同的载流子密度。离STI边缘越远，则载流子的分布越稀疏。为防止STI效应，通常会将掩膜开口开在STI上。此时STI部分区域和有源区域均被离子注入。离子注入会影响后续氧化层去除的蚀刻速率，导致STI区域被离子注入部分比未被离子注入部分低，存在约100埃的差距。此差距会引起去除伪栅时存在部分残留，影响金属栅的性能。

为此，需要一种改善STI平坦度的方法，用以改善STI被离子注入部分与未被离子注入部分的高度差，便于去除之后金属栅上的伪栅，金属栅的性能不会使之影响。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善STI平坦度的方法，用于解决现有技术中离子注入会影响后续氧化层去除的蚀刻速率，导致STI区域被离子注入部分比未被离子注入部分低，此高度差距会引起去除伪栅时存在部分残留，影响金属栅性能的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善STI平坦度的方法，包括：

步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有阱，且所述衬底上还形成有STI用以定义出有源区；

步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述STI和所述有源区的光刻胶层，光刻使得所述有源区以及所述STI部分裸露；

步骤三、对裸露的所述有源区和部分所述STI进行离子注入，用以形成轻掺杂漏；

步骤四、利用非激活离子对裸露的所述有源区和部分所述STI进行离子注入，其中所述STI被离子注入的深度为第一深度，所述STI未被离子注入的深度为第二深度，使得所述第一深度与第二深度的差值小于10埃。

优选地，步骤一中的所述衬底为硅衬底。

优选地，步骤二中的所述STI裸露的部分为长宽均为0.1微米至0.2微米的矩形。

优选地，步骤四中的所述非激活离子的元素种类为元素周期表中第四族或第零族。

优选地，步骤四中的所述非激活离子为硅离子、氩离子、氙离子和锗离子中的任意一种。