[发明专利]大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构

权利要求书

1.一种大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：

初次注塑常规框架至注塑料填平原始塑封腔；

电镀增厚第一焊盘初始容腔形成第一盘底容腔；

二次塑封填充至与第一盘底容腔顶面齐平；

电镀加工形成第一焊盘容腔的第一盘体容腔；

在第一焊盘容腔和第二焊盘容腔内分别容置第一焊盘和第二焊盘，在第一焊盘的顶面焊接贴装芯片；

在两焊盘共同的左侧或右侧和所述框架近边缘处钻孔形成通道，通道内壁面金属化处理形成金属化孔壁；

电连接芯片和金属化孔壁，电连接第二焊盘和金属化孔壁；

再次注塑填充框架形成完整的封装结构;

其中，大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构，包括：

框架、设于所述框架内的第一焊盘容腔和第二焊盘容腔以及设于所述第一焊盘容腔上方的芯片容腔、开设于所述框架近侧方的通道，所述第一焊盘容腔部分延伸至所述第二焊盘容腔部分的上方，并与第二焊盘容腔间隔设置，所述通道位于两焊盘容腔共同的左侧或右侧，通道内壁面为金属化孔壁；

其中，所述第一焊盘容腔、所述第二焊盘容腔和所述芯片容腔内分别用于容置第一焊盘、第二焊盘和芯片。

2.如权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述电镀加工形成第一焊盘容腔的第一盘体容腔步骤之后，还包括以下步骤：

在第二焊盘初始容腔的基础上激光烧蚀结合电镀加工出第二焊盘容腔的第二盘体容腔。

3.如权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述在两焊盘共同的左侧或右侧和所述框架近边缘处钻孔形成通道，通道内壁面金属化处理形成金属化孔壁步骤中，所述通道的内壁面经沉铜、溅射或电镀形成所述金属化孔壁。

4.如权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述在两焊盘共同的左侧或右侧和所述框架近边缘处钻孔形成通道，通道内壁面金属化处理形成金属化孔壁步骤中，采用氩气作为辅助气体的高功率紫外线激光切割工艺通孔加工成型所述通道。