[发明专利]大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构有效
申请号: | 202210099768.3 | 申请日: | 2022-01-27 |
公开(公告)号: | CN114121853B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 邵冬冬 | 申请(专利权)人: | 深圳中科四合科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/49;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) 44632 | 代理人: | 霍如肖 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华区观*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 尺寸 芯片 适配小 封装 结构 | ||
本申请公开了一种大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构,包括框架、设于所述框架内的第一焊盘容腔和第二焊盘容腔以及设于所述第一焊盘容腔上方的芯片容腔、开设于所述框架近侧方的通道,所述第一焊盘容腔和所述第二焊盘容腔交叉错位,所述通道位于两焊盘容腔的一侧,通道内壁面为金属化孔壁;其中,所述第一焊盘容腔、所述第二焊盘容腔和所述芯片容腔内分别用于容置第一焊盘、第二焊盘和芯片。本申请提供的大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构,通过在封装结构的近侧方设置具有金属化孔壁的通道,为芯片提供更多的容置空间,有效提升封装结构内的芯片占比至60%‑70%,实现了大尺寸芯片适配小尺寸封装体的加工需要。
技术领域
本申请涉及芯片封装技术领域,尤其涉及大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构。
背景技术
随着半导体行业的发展,一方面芯片的性能、功率等参数随着芯片面积尺寸的增加得到大幅提升,另一方面随着设备小型化发展要求产品的封装体尺寸越来越小。二者存在一定的冲突:如何在小的封装尺寸内封装更大面积尺寸的芯片以满足更高性能需求。
目前常见的产品封装结构,如图1所示,封装体内设有第一焊盘初始容腔11、第二焊盘初始容腔21、芯片容腔41,以及对应设于其内的第一焊盘、第二焊盘和芯片,芯片和第二焊盘之间通过电连接线42连接,芯片本身所占封装体的占比往往很小,基本占比都小于30%。如图2所示,也有通过复杂的多层走线实现较大面积尺寸芯片的封装结构,至少2层走线还要加复杂的过孔连接,但多层走线加层间过孔设计给封装工艺带来较大的难度,工艺流程复杂,降低工作效率且提高了产品生产成本。
发明内容
有鉴于此,本申请提供大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构,无需复杂的过孔连接即可在较小的封装体内封装较大尺寸的芯片。
第一方面,本发明提供了一种大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构,包括框架、设于所述框架内的第一焊盘容腔和第二焊盘容腔以及设于所述第一焊盘容腔上方的芯片容腔、开设于所述框架近侧方的通道,所述第一焊盘容腔和所述第二焊盘容腔交叉错位,所述通道位于两焊盘容腔的一侧,通道内壁面为金属化孔壁;
其中,所述第一焊盘容腔、所述第二焊盘容腔和所述芯片容腔内分别用于容置第一焊盘、第二焊盘和芯片。
可选地,所述第一焊盘容腔包括第一盘底容腔和设于所述第一盘底容腔上方的第一盘体容腔,所述第一盘体容腔延伸至所述第二焊盘容腔的上方。
可选地,所述第一盘体容腔的横截面积大于所述第一盘底容腔的横截面积。
可选地,所述第二焊盘容腔包括第二盘底容腔和设于所述第二盘底容腔上方的第二盘体容腔,所述第二盘体容腔与所述通道连通,所述第一盘体容腔延伸至所述盘底容腔的上方。
可选地,所述第一盘体容腔与所述第二盘体容腔之间的横向间隔,所述第一盘体容腔和所述第二盘底容腔之间纵向间隔。
可选地,所述芯片容腔与所述通道之间设有电连接线。
第二方面,本发明提供了一种应用如上所述的大尺寸芯片适配小尺寸封装体的封装结构中的加工方法,其特征在于,包括如下步骤:
初次注塑常规框架至注塑料填平原始塑封腔;
电镀增厚第一焊盘初始容腔形成第一盘底容腔;
二次塑封填充至与第一盘底容腔顶面齐平;
电镀加工形成第一焊盘容腔的第一盘体容腔;
在第一焊盘容腔和第二焊盘容腔内分别容置第一焊盘和第二焊盘,在第一焊盘的顶面焊接贴装芯片;
在两焊盘的一侧和所述框架近边缘处钻孔形成通道,通道内壁面金属化处理形成金属化孔壁;
电连接芯片和金属化孔壁,电连接第二焊盘和金属化孔壁;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳中科四合科技有限公司,未经深圳中科四合科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210099768.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。