[发明专利]一种高功率贴片整流桥芯片框架

说明书

一种高功率贴片整流桥芯片框架。涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种贴片式整流桥框架结构的改进。包括相互之间电气隔离的第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四引脚；在所述第一基岛上设有第一引脚，在所述第二基岛上设有第二引脚，在所述第三基岛上设有第三引脚，所述第三基岛为长条状，在所述第三基岛表面设有第三、四芯片位，所述第一基岛、第二基岛和第四引脚由上至下依次设在所述第三基岛的一侧，所述第一基岛朝向所述第三基岛的侧边突起，形成一突出焊接承接面。本发明可以承载140mil芯片，极大的提高了产品整体过流能力。

技术领域

本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种贴片式整流桥框架结构的改进。

背景技术

传统封装的功能主要在于芯片保护、尺度放大、电气连接三项功能，而实际生产过程中，产品内部框架的不同结构往往会对芯片的尺寸和散热带来不同的影响，尤其是整流桥这种多芯片产品。整流桥用在TV电源上时，安规认证要求TV电源温升不能超过65℃，否则无法通过安规认证要求。因此，如何设计整流桥框架的构造，优化器件的整体尺寸大小、散热性能，以及过流能力，成为本领域技术人员研究的热点问题。

针对上述问题，申请人于2021年9月申请专利号为ZL2021223889877，“减小整流桥内部温升差异的芯片框架”的实用新型专利申请，如图6所示，包括承载单体一3、承载单体二2、承载单体三1和连接端四；承载单体一3从上而下设有依次连接的芯片一安装位、芯片二安装位和连接端一；承载单体二2的芯片三安装位位于承载单体一3侧部的下方位置；承载单体二2的连接端二位于承载单体一3的上方，通过连接片21与芯片三安装位连接成一整体；承载单体三1与承载单体二2同侧，位于承载单体二2的上方。通过框架的结构改进，提高了四颗芯片排布规整性，同时提高了四颗芯片散热的均衡性，降低了芯片之间的温差，提高产品运行的稳定性。但是，在后续研发工作中，发明人发现该技术方案中承载单体三1的左侧连接位置相对局促，芯片安置后，由于在芯片左侧需要预留足够的跳线焊接位置，芯片的尺寸就受限，在此情况下，无法满足更大过流能力的要求。因此，如何在同等外部尺寸情况下，合理规划框架结构，进而提高芯片的过流能力，成为本发明所要解决的技术问题。

发明内容

本发明针对以上问题，提供了一种结构紧凑、同规格承载140mil芯片，提高产品过流能力的一种高功率贴片整流桥芯片框架。

本发明的技术方案是：一种高功率贴片整流桥芯片框架，包括相互之间电气隔离的第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四引脚；

在所述第一基岛上设有第一引脚，在所述第二基岛上设有第二引脚，在所述第三基岛上设有第三引脚，

所述第三基岛为长条状，在所述第三基岛表面设有第三、四芯片位，所述第一基岛、第二基岛和第四引脚由上至下依次设在所述第三基岛的一侧，

所述第一基岛朝向所述第三基岛的侧边突起，形成一突出焊接承接面，

所述第二引脚设于所述第三基岛的正上方，所述第二基岛的岛面与所述第二引脚通过连为一体的连接部连接，所述连接部的形状与所述第一基岛和第三基岛之间存留缝隙形状适配，且电气隔离。

所述第一基岛上设有第一芯片；

所述第二基岛上设有第二芯片；

所述第三芯片位上设有第三芯片，第四芯片位上设有第四芯片。

所述第一芯片和第二芯片分别通过跳线A与第四引脚电性连接；

所述第三芯片通过跳线B与第一基岛电性连接；

所述第四芯片通过跳线C与第二基岛电性连接。

所述第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片分别为不大于140mil的工艺芯片。

所述第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片分别为140mil的工艺芯片。

所述第一引脚的底部与第一基岛连接，顶部与铜边框连接；

所述第一引脚与铜边框之间设有切断孔。