[发明专利]FPGA配置存储器阵列的故障注入方法及装置在审
申请号: | 202210102041.6 | 申请日: | 2022-01-27 |
公开(公告)号: | CN114550810A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 谢元禄;呼红阳;霍长兴;张坤;季兰龙;习凯;卢年端 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56;G11C29/18;G06F15/78 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 王玉璇 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | fpga 配置 存储器 阵列 故障 注入 方法 装置 | ||
本发明公开了FPGA配置存储器阵列的故障注入方法及装置,涉及FPGA技术领域。本发明通过FPGA的JTAG接口回读配码数据帧地址对应的配码数据帧,将配码数据帧中的至少一位取反后便可得到错误配码数据,然后通过JTAG接口将取反后的配码数据帧写入FPGA,实现了通过JTAG接口对FPGA进行故障注入;由于仅回读和注入指定地址的配码数据帧,数据量小,可极大的降低故障注入时间;具有不影响Slave SelectMAP接口回读刷新操作的优势,可以同时进行故障注入和回读刷新。
技术领域
本发明涉及FPGA技术领域,尤其涉及FPGA配置存储器阵列的故障注入方法及装置。
背景技术
SRAM型FPGA应用于辐照、宇航等严苛环境时,芯片本身会受到带电粒子的轰击,带电粒子可能会导致FPGA片内的Configuration(配置)SRAM中存储的数据发生误翻转,进而导致FPGA芯片的功能出错。这种在存储单元中出现的带电粒子所导致的数据错误,称为单粒子翻转。对于严酷环境中使用的SRAM型FPGA电路,常常需要采取额外的加固处理措施。经常采取的加固措施为:通过Slave SelectMAP接口对FPGA持续不断地进行回读、比对、刷新操作,即在FPGA工作期间,某种主设备在Slave SelectMAP接口,持续地回读FPGA片内的Configuration SRAM阵列中的数据,与其他地方(例如反熔丝PROM)存储的正确配码进行比较,一旦比对发现错误,则立刻对FPGA的Configuration SRAM阵列中的数据进行覆盖刷新。通过上述的“回读+刷新”操作,可以改善FPGA在恶劣环境中的适应性,大大提升FPGA的工作可靠性。
在使用上述加固措施前,需验证其功能的有效性,即在FPGA运行期间,向FPGA片内的Configuration SRAM阵列注入错误数据,同时观察FPGA的工作状态是否出错、“回读+刷新”电路是否能修正此错误,如果“回读+刷新”电路正确动作、检测出了SRAM中的错误数据并正确修复,则说明此加固电路是有效的。因此,需提供一种对FPGA片内的ConfigurationSRAM阵列进行故障注入的方法,以对“回读+刷新”电路进行验证。
发明内容
本发明通过提供FPGA配置存储器阵列的故障注入方法及装置,解决了如何对FPGA配置存储器阵列进行故障注入的技术问题。
一方面,本发明实施例提供如下技术方案:
一种FPGA配置存储器阵列的故障注入方法,包括:
获取设定的所述FPGA中的配码数据帧地址;
通过所述FPGA的JTAG接口回读所述配码数据帧地址对应的配码数据帧;
将所述配码数据帧中的至少一位取反;
通过所述JTAG接口将取反后的所述配码数据帧写入所述FPGA。
优选的,所述获取设定的所述FPGA中的配码数据帧地址,包括:
接收上位机发送的命令;
解析所述命令,获取所述配码数据帧地址。
优选的,所述通过所述FPGA的JTAG接口回读所述配码数据帧地址对应的配码数据帧,包括:
通过所述JTAG接口依次对所述FPGA进行:进入SHIFT-IR状态、写入CFG_IN指令、进入SHIFT-DR状态、写入CFG_OUT指令、进入SHIFT-IR状态、写入CFG_OUT指令、进入SHIFT-DR状态,以回读所述配码数据帧。
优选的,所述通过所述JTAG接口将取反后的所述配码数据帧写入所述FPGA,包括:
通过所述JTAG接口依次对所述FPGA进行:进入SHIFT-IR状态、写入CFG_IN指令、进入SHIFT-DR状态,以将取反后的所述配码数据帧写入所述FPGA。
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