[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

沉积介电层；

在所述介电层上方沉积多个芯轴带；

在所述多个芯轴带的侧壁上形成多个间隔件以形成多个掩模组，其中，所述多个芯轴带中的每一个与所述多个间隔件中的两个形成所述多个掩模组中的掩模组；

形成连接所述多个掩模组中的两个相邻掩模组的掩模带；

使用所述多个掩模组和所述掩模带共同作为蚀刻掩模来蚀刻所述介电层，并在所述介电层中形成沟槽；以及

将导电材料填充到所述沟槽中以形成多个导电部件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个间隔件包括沉积毯式层，以及对所述毯式层执行各向异性蚀刻工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述掩模带包括：

在所述多个掩模组上方沉积模板层，其中，所述模板层的顶面高于所述多个掩模组的顶面；

在所述模板层中形成开口，其中，所述多个掩模组中的至少两个通过所述开口露出；

填充所述开口以形成掩模带；以及

去除所述模板层。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括，将所述掩模带的顶面降低到与所述多个掩模组的顶面齐平或低于所述多个掩模组的顶面。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，降低所述掩模带的顶面包括：

抛光所述掩模带；以及

在所述抛光后，蚀刻掉所述掩模带。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个导电部件具有与直线对准的纵向方向，并且所述多个导电部件包括端带，所述端带包括第一端和第二端，其中，所述第一端是弯曲的并且具有第一半径，并且所述第二端是弯曲的并具有小于第一半径的第二半径。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一半径与所述第二半径的比率大于约2.0。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述介电层包括沉积低k介电层。

9.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

介电层，位于所述半导体衬底上方；

第一导电部件，包括：

第一端，其中，所述第一端是弯曲的，并具有第一半径；以及

第二端，与所述第一端相对，其中，所述第二端是弯曲的，并且具有小于所述第一半径的第二半径；

第二导电部件，通过所述介电层的第一部分与所述第一导电部件的第一端间隔开，其中，所述第二导电部件与所述第一端具有第一距离；以及

第三导电部件，通过所述介电层的第二部分与所述第一导电部件的第二端间隔开，其中，所述第三导电部件与所述第二端具有第二距离，并且所述第二距离小于所述第一距离，并且其中，所述第一导电部件、所述第二导电部件和所述第三导电部件具有与同一直线对准的纵向方向。

10.一种半导体结构，包括：

多个导电部件，具有与同一直线对准的纵向方向，其中，所述多个导电部件包括第一端部件、第二端部件和在所述第一端部件和所述第二端部件之间的至少一个中间导电部件，并且所述第一端部件包括：

第一端，背离所述第二端部件，其中，所述第一端具有第一角；以及

第二端，面向所述第二端部件，其中，所述第二端具有比第一角更尖锐的第二角；以及

介电层，其中多个导电部件的上部位于所述介电层中。