[发明专利]集成电路结构及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，其特征在于，包含：

一半导体基材；

一底部电极线路，位于该半导体基材上方；

一电容器结构，位于该底部电极线路上方，该电容器结构包含：

一底部金属层；

一中间金属层，位于该底部金属层的上方；以及

一顶部金属层，位于该中间金属层的上方，其中当在一平面图中观察时，该顶部金属层具有沿一第一方向延伸的多个相对直边缘及连接该些相对直边缘的多个相对方波形边缘，该些方波形边缘各包含沿垂直于该第一方向的一第二方向延伸的交替的多个第一区段及第二区段，以及各连接该些第一区段及第二区段中相邻两者的多个第三区段，其中该些第三区段沿该第一方向延伸；

一顶部电极线路，位于该电容器结构上方；

一第一金属通孔，自该底部电极线路延伸至该顶部电极线路，该第一金属通孔接触该顶部金属层以及该底部金属层，且分离于该中间金属层；以及

一第二金属通孔，自该底部电极线路延伸至该顶部电极线路，该第二金属通孔接触该中间金属层，且分离于该底部金属层以及该顶部金属层。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该第一金属通孔与该顶部金属层的该些直边缘中的一第一者之间在一平面图中的一距离在该第一金属通孔的一最大尺寸的约0.1至1倍的一范围内。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该中间金属层具有多个相对直边缘，该中间金属层的该些直边缘之间的一第一距离大于该顶部金属层的该些直边缘之间的一第二距离。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该电容器结构的该底部金属层具有多个相对直边缘以及在该底部金属层的该些直边缘之间延伸的多个相对方波形边缘。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该电容器结构的该中间金属层具有多个相对直边缘及在该中间金属层的该些相对直边缘之间延伸的多个相对方波形边缘。

6.一种集成电路结构，其特征在于，包含：

一半导体基材；

一第一电极线路，位于该半导体基材上方；

一第二电极线路，位于该第一电极线路上方；以及

一电容器结构，连接在该第一电极线路以及该第二电极线路之间，该电容器结构包含：

一第一金属板，用于接收一第一电压电势，且具有沿一第一方向延伸的多个相对线性边缘；以及

一第二金属板，位于该第一金属板上方，用于接收不同于该第一电压电势的一第二电压电势，且具有沿该第一方向延伸的多个相对线性边缘，该第一金属板的该些相对线性边缘之间的一第一距离不同于该第二金属板的该些相对线性边缘之间的一第二距离。

7.如权利要求6所述的集成电路结构，其特征在于，该电容器结构还包含一第三金属板，该第三金属板位于该第二金属板上方，且用于接收该第一电压电势。

8.如权利要求6所述的集成电路结构，其特征在于，该第一金属板具有连接该第一金属板的该些线性边缘的一非线性边缘，该非线性边缘具有沿垂直于该第一方向的一第二方向配置的多个凹口。