[发明专利]集成电路结构及其制造方法

说明书

一种集成电路结构及其制造方法，集成电路结构包括半导体基材、底部电极线路、电容器结构、顶部电极线路。底部电极线路在半导体基材上方。电容器结构在底部电极线路上方。电容器结构包括底部金属层、底部金属层之上的中间金属层、及中间金属层之上的顶部金属层。当在平面图中观察时，顶部金属层具有沿第一方向延伸的相对直边缘及连接相对直边缘的相对方波形边缘，方波形边缘各包含沿垂直于第一方向的第二方向延伸的交替的第一及第二区段，以及第三区段，第三区段各连接第一及第二区段中相邻的两个，其中第三区段沿第一方向延伸。

技术领域

本揭露是关于一种集成电路结构，特别是关于一种集成电路结构的制造方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)行业经历了快速增长。集成电路材料及设计的技术进步产生了几代集成电路，各代的电路都比上一代更小且更复杂。然而，这些进步提高了集成电路加工及制造的复杂性，且为了实现这些进步，需要在集成电路加工及制造方面进行类似的发展。

在集成电路演进过程中，功能密度(即，每一晶片面积内互连装置的数目)通常有所增大，而几何尺寸(即，可使用制造技术产生的最小组件(或接线))则有所减小。这种规模缩小的过程通常通过提高生产效率及降低相关成本来提供益处。此种规模缩小亦产生相对高的功率消耗值，这可通过使用诸如互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS)装置的低功率消耗装置来解决。

发明内容

于一些实施方式中，集成电路结构包含半导体基材、底部电极线路、电容器结构、顶部电极线路、第一金属通孔以及第二金属通孔。底部电极线路位于半导体基材上方。电容器结构位于底部电极线路上方，且包含底部金属层、中间金属层以及顶部金属层。中间金属层位于底部金属层的上方。顶部金属层位于中间金属层的上方。当在平面图中观察时，顶部金属层具有沿第一方向延伸的多个相对直边缘及连接多个相对直边缘的多个相对方波形边缘，多个方波形边缘各包含沿垂直于第一方向的第二方向延伸的交替的多个第一区段及第二区段，以及各连接多个第一区段及第二区段中相邻两者的多个第三区段，其中多个第三区段沿第一方向延伸。顶部电极线路，位于电容器结构上方。第一金属通孔，自底部电极线路延伸至顶部电极线路，第一金属通孔接触顶部金属层以及底部金属层，且分离于中间金属层。第二金属通孔，自底部电极线路延伸至顶部电极线路，第二金属通孔接触中间金属层，且分离于底部金属层以及顶部金属层。

于一些实施方式中，集成电路结构包含半导体基材、第一电极线路、第二电极线路以及电容器结构。第一电极线路位于半导体基材上方。第二电极线路位于第一电极线路上方。电容器结构连接在第一电极线路以及第二电极线路之间。电容器结构包含第一金属板以及第二金属板。第一金属板用于接收第一电压电势，且具有沿第一方向延伸的多个相对线性边缘。第二金属板位于第一金属板上方，用于接收不同于第一电压电势的第二电压电势，且具有沿第一方向延伸的多个相对线性边缘。第一金属板的多个相对线性边缘之间的第一距离不同于第二金属板的多个相对线性边缘之间的第二距离。

于一些实施方式中，集成电路结构的制造方法包含以下步骤：在半导体基材上的第一电极线路上方沉积第一电极材料；图案化第一电极材料以形成其中具有第一穿孔的下部金属板；填充第一介电材料至下部金属板的第一穿孔中；在填充第一介电材料之后，在下部金属板上方沉积第二介电材料；在第二介电材料上方沉积第二电极材料；图案化第二电极材料以形成其中具有第二穿孔且具有多个相对直边缘的中间金属板，其中中间金属板具有比下部金属板更大的宽度，且第二穿孔不与第一穿孔重叠；填充第三介电材料至中间金属板的第二穿孔中；执行蚀刻制程以形成延伸穿过下部金属板的第一通路孔，及延伸穿过中间金属板的第二通路孔，且第二通路孔与中间金属板的多个直边缘中的一第一者之间在平面图中的一距离在第二通路孔的一最大尺寸的约0.1至1倍的一范围内，其中中间金属板通过第三介电材料与第一通路孔间隔开，且下部金属板通过第一介电材料与第二通路孔间隔开；填充一导电材料至多个第一及第二通路孔中。

附图说明