[发明专利]微调过程模型的方法在审

专利信息
申请号: 202210108239.5 申请日: 2018-01-24
公开(公告)号: CN114415478A 公开(公告)日: 2022-04-29
发明(设计)人: 冯牧;M·F·沙伊甘萨拉克;朱典文;郑雷武;拉斐尔·C·豪厄尔;王祯祥 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G05B19/418
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 胡良均
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 微调 过程 模型 方法
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

通过使用包括参数的工艺模型通过计算机系统在多个处理条件下模拟光刻术的产品的特性来获得经模拟的特性,

确定所述经模拟的特性的统计变化;

通过根据在所述多个处理条件下产生的图案测量所述产品的所述特性而获得测量的特性;

确定所述测量的特性的统计变化;

确定所述经模拟的特性的变化和所述测量的特性的变化之间的第一偏差;和

基于所述第一偏差调整所述参数。

2.如权利要求1所述的方法,还包括基于由所述过程模型进行的模拟调整制造的处理条件。

3.如权利要求1所述的方法,还包括基于由所述过程模型进行的模拟在使用所述光刻术处理的衬底上选择一组部位以供检测。

4.如权利要求1所述的方法,其中,随机地选择所述多个处理条件。

5.如权利要求1所述的方法,其中所述多个处理条件包括名义处理条件。

6.如权利要求1所述的方法,其中所述测量的特性的所述变化选自由以下组成的组:所述测量的特性的标准偏差、所述测量的特性的方差,以及所述测量的特性的范围。

7.如权利要求1所述的方法,其中所述经模拟的特性的所述变化选自由以下组成的组:所述经模拟的特性的标准偏差、所述经模拟的特性的方差,以及所述经模拟的特性的范围。

8.根据权利要求1所述的方法,其中调整所述参数包括:确定使得所述第一偏差的函数处于局部极值或全局极值的所述参数的值。

9.如权利要求1所述的方法,其中调整所述参数基于所述第一偏差和第二偏差的组合,所述第二偏差在相同处理条件下介于所述经模拟的特性与所述测量的特性之间。

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个处理条件包括通过光刻设备照射图案形成装置的特性、光刻设备的投影光学装置的特性以及图案形成装置的特性,所述图案形成装置上具有表示设计布局的特征的布置。

11.根据权利要求1所述的方法,其中,其中所述产品的所述特性包括图像的特性。

12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述产品的所述特性包括设计布局的特征的过程窗口。

13.如权利要求1所述的方法,其中所述产品的所述特性包括多个部位处的特征的统计参数。

14.一种方法,包括:

获得多个第一偏差,所述多个第一偏差中的每一个介于光刻术的产品的经模拟的特性的统计变化与所述光刻术的产品的测量的特性的统计变化之间,其中通过使用包括参数的过程模型通过计算机系统来模拟所述产品的特性而获得所述经模拟的特性;

构造多个成本函数,所述成本函数为所述多个第一偏差的组合;和

通过使用所述成本函数来调整所述过程模型的所述参数。

15.如权利要求14所述的方法,还包括基于由所述过程模型进行的模拟调整制造的处理条件。

16.一种在其中包括指令的非暂时性计算机可读介质,所述指令在由计算机系统执行时被配置为使所述计算机系统至少:

获得多个第一偏差,每个第一偏差在光刻术的产品的模拟特性的统计变化和光刻术的所述产品的测量特性的统计变化之间,其中所述经模拟的特性是通过使用包括参数的工艺模型通过计算机系统模拟而获得;

构建多个成本函数,所述成本函数是所述多个第一偏差的组合;和

使用所述成本函数调整所述工艺模型的参数。

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