[发明专利]微调过程模型的方法

说明书

本发明中披露了构造过程模型的方法，该过程模型用于根据在不同处理条件下产生的图案模拟光刻术的产品的特性。所述方法使用该被模拟的特性的变化与被测量的特性的变化之间的偏差以调整该过程模型的参数。

本申请是国际申请PCT/EP2018/051669于2018年1月24日进入中国国家阶段、申请号为201880008283.0的发明申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2017年1月26日递交的美国临时申请No.62/451,048题为“微调过程模型的方法”的优先权，通过引用将其全文并入本发明中。

技术领域

本发明中的描述涉及用于过程模型化的方法及系统。

背景技术

可以将光刻投影设备用在例如集成电路(IC)的制造中。在这种情形下，图案形成装置(例如，掩模)可以包含或提供对应于IC的单个层的电路图案(“设计布局”)，且可以将所述电路图案转印到已经涂覆有辐射敏感材料层(“抗蚀剂”)的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或更多个管芯)上，通过诸如经由所述图案形成装置上的电路图案辐射所述目标部分的方法。通常，单个衬底包括多个相邻的目标部分，所述电路图案通过所述光刻投影设备被连续地、以一次一个目标部分的方式转印至所述多个相邻目标。在一种类型的光刻投影设备中，在所述整个图案形成装置上的所述电路图案被一次性转印至一个目标部分上；这样的设备通常被称为步进机。在通常被称为步进扫描设备的可替代的设备中，投影束在给定的参考方向(所述“扫描”方向)上在所述图案形成装置之上进行扫描，同时同步地平行或反向平行于所述参考方向移动所述衬底。在所述图案形成装置上的所述电路图案的不同部分被逐步地转印至一个目标部分上。通常由于所述光刻投影设备将具有缩小比例M(例如，4)，因此所述衬底被移动的速度F将为投影束扫描所述图案形成装置的速度的1/M倍。可以例如从通过引用并入本文中的US 6,046,792收集到关于如本文中所描述的光刻设备的更多信息。

在将电路图案从图案形成装置转印至所述衬底之前，所述衬底可能经历各种工序，诸如涂底料、抗蚀剂涂覆和软焙烤。在曝光之后，所述衬底可能经历其它工序，诸如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤，和所转印的电路图案的测量/检测。这一系列的工序被用作为制造器件(例如IC)的单个层的基础。之后，所述衬底可能经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有的过程都意图完成器件的单个层。如果所述器件需要多个层，则将对于每一层重复整个工序或其变形。最终，器件将存在于所述衬底上的每一目标部分中。之后，通过诸如切片或锯割的技术来使这些器件彼此分离，由此可以将各个器件安装在载体上、连接至引脚等。

如注意到的，光刻术为在IC的制造中的中心步骤，其中在衬底上形成的图案限定了所述IC的功能元件，诸如微处理器、存储器芯片等。类似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(MEMS)和其它器件。

随着半导体制造工艺不断发展，功能元件的尺寸被不断地减小，同时每一器件的功能元件(诸如晶体管)的数量在数十年来遵循通常称为“摩尔定律”的趋势而稳步地增长。在现有技术的情形下，通过使用光刻投影设备来制造器件的层，该光刻投影设备使用来自照射源(例如深紫外(DUV)或极紫外(EUV))的照射将设计布局投影到衬底上，从而产生具有充分地低于100nm的尺寸的独立的功能元件，即该功能元件的尺寸小于照射源(例如，193nm照射源)的辐射的波长的一半。