[发明专利]发光器件及其制备方法、发光装置

说明书

发光器件及其制备方法、发光装置。发光器件包括：外延层，设置在外延层同一侧的至少一个器件电极，以及设置在器件电极背离外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极；其中，测试电极与器件电极对应连接，测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在外延层所在平面上的正投影面积。由于测试电极与器件电极对应连接，并且测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于器件电极在外延层所在平面上的正投影面积，因此可以根据测试设备的需求设计较大面积的测试电极，从而可以对单个发光器件的波长、亮度和电压等参数进行电性测试，提高测试的准确性，降低电性不良的发光器件发生漏检的概率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别是涉及一种发光器件及其制备方法、发光装置。

背景技术

微显示技术作为“次世代显示技术”，是显示领域众多企业对高清及超高清显示效果的追求目标，是半导体、面板、检测设备等产业大力研发的高端显示技术。而微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)作为可为微显示产品提供光源的器件，凭借体积小、亮度高、功耗低、寿命长、响应速度快、可实现更高对比度及色彩饱和度等特性，被认为是比有机发光二极管更适合微显示技术的选择。

发明内容

本公开提供了一种发光器件，包括：外延层，设置在所述外延层同一侧的至少一个器件电极，以及设置在所述器件电极背离所述外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极；

其中，所述测试电极与所述器件电极对应连接，所述测试电极在所述外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在所述外延层所在平面上的正投影面积。

在一种可选的实现方式中，所述测试电极靠近所述器件电极的一侧具有第一凸出部，所述第一凸出部靠近所述器件电极一侧的表面与所述器件电极相互接触。

在一种可选的实现方式中，在所述外延层背离所述器件电极的一侧还设置有第一衬底，所述测试电极靠近所述器件电极的一侧还具有第二凸出部，所述第二凸出部靠近所述第一衬底一侧的表面与所述第一衬底相互接触。

在一种可选的实现方式中，所述第一凸出部与所述第二凸出部分别靠近所述测试电极相对的两个端面设置，所述端面连接所述测试电极靠近所述器件电极一侧的表面以及背离所述器件电极一侧的表面。

在一种可选的实现方式中，所述第二凸出部与所述外延层之间的距离大于或等于10微米。

在一种可选的实现方式中，所述测试电极背离所述器件电极一侧的表面尺寸大于或等于35微米。

在一种可选的实现方式中，在所述测试电极背离所述器件电极的一侧还设置有第二衬底，所述测试电极背离所述器件电极一侧的表面与所述第二衬底相互接触；

所述测试电极包括测试区域，所述测试区域在所述第二衬底上的正投影与所述器件电极以及所述外延层在所述第二衬底上的正投影均无交叠，所述测试区域背离所述第二衬底一侧的表面尺寸大于所述器件电极靠近所述第二衬底一侧的表面尺寸。

在一种可选的实现方式中，所述测试区域背离所述第二衬底一侧的表面尺寸大于或等于35微米。

在一种可选的实现方式中，所述第一凸出部与所述器件电极相互接触的表面尺寸小于或等于5微米。

在一种可选的实现方式中，所述测试电极的材料包括金属氧化物。

在一种可选的实现方式中，所述至少一个器件电极包括第一器件电极和第二器件电极，所述外延层包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一引出电极、第二引出电极和绝缘层；