[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

核心电路的第一核心区域和第二核心区域；

接口电路的第一输入/输出区域和第二输入/输出区域，彼此耦合并对应地耦合至所述第一核心区域和第二核心区域，

可消耗区域；

相对于第一方向：

所述可消耗区域介于所述第一输入/输出区域和所述第二输入/输出区域之间；

所述第一输入/输出区域介于所述可消耗区域和所述第一核心区域之间；并且

所述第二输入/输出区域介于所述可消耗区域和所述第二核心区域之间；

密封环，具有第一侧、第二侧、第三侧和第四侧，所述密封环围绕所述第一核心区域和所述第二核心区域以及所述第一输入/输出区域和所述第二输入/输出区域；

金属化层；

互连层，在所述金属化层之间交错；

相互通信段，位于所述金属化层的子集中，每个所述相互通信段对应地在所述第一输入/输出区域和所述第二输入/输出区域之间延伸并由此耦合所述第一输入/输出区域和所述第二输入/输出区域；

第一护壁和第二护壁，每一个都从所述密封环的第一侧延伸到第三侧或从对应的第三护壁和第四护壁上的第一位置延伸到第二位置，所述第三护壁和所述第四护壁中的每一个都从所述密封环的第一侧延伸到第三侧；

所述第一护壁介于所述第一核心区域和所述第一输入/输出区域之间并与所述第一核心区域和所述第一输入/输出区域中的每一个隔离；并且

所述第二护壁介于所述第二核心区域和所述第二输入/输出区域之间并与所述第二核心区域和所述第二输入/输出区域中的每一个隔离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：

半导体衬底，沿第一方向和第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向垂直；并且

所述第一核心区域和所述第二核心区域中的每一个以及所述第一输入/输出区域和所述第二输入/输出区域中的每一个都包括形成在所述半导体衬底中的对应的掺杂区域。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

每个所述金属化层和每个所述互连层都沿第一方向和第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向垂直；并且

所述第一核心区域和所述第二核心区域、所述第一输入/输出区域和所述第二输入/输出区域以及所述可消耗区域中的每一个都具有：

表示相对于所述第一方向和所述第二方向的面积的对应占用面积；和

沿垂直于所述第一方向和所述第二方向中的每一个的第三方向延伸的高度；

所述第一核心区域和所述第二核心区域、所述第一输入/输出区域和所述第二输入/输出区域以及所述可消耗区域包括：

对应的第一堆叠件、第二堆叠件、第三堆叠件、第四堆叠件和第五堆叠件，所述第一堆叠件到所述第五堆叠件中的每一个都沿所述第三方向延伸，所述第一堆叠件到所述第五堆叠件中的每一个都包括位于一个或多个所述金属化层中的对应导电段和位于一个或多个所述互连层中的通孔结构；并且

所述密封环的第一侧至第四侧对应地与所述第一核心区域和所述第二核心区域、所述第一输入/输出区域和所述第二输入/输出区域以及所述可消耗区域隔离；

所述密封环被布置为堆叠件，该堆叠件包括：

位于每个所述金属化层中的导电段和位于每个所述互连层中的通孔结构。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：

相对于所述第三方向，所述金属化层包括：

第一金属化层，在所述金属化层中最靠近半导体衬底；

顶部金属化层，在所述金属化层中相对于所述第三方向最远离所述半导体衬底；和

第(i)层金属化层，介于所述第一金属化层和所述顶部金属化层之间；

所述半导体器件还包括：

第一内部通信堆叠件，包括位于所述第一金属化层到所述第(i)层金属化层的每一层中的第一内部通信段，所述第一内部通信段中的每一个对应地在所述第一核心区域和所述第一输入/输出区域之间延伸并由此耦合所述第一核心区域和所述第一输入/输出区域；和

第二内部通信堆叠件，包括位于所述第一金属化层到所述第(i)层金属化层的每一层中的第二内部通信段，所述第二内部通信段中的每一个对应地在所述第二核心区域和所述第二输入/输出区域之间延伸并由此耦合所述第二核心区域和所述第二输入/输出区域。