[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一和第二核心区域；第一和第二输入/输出(I/O)区域，彼此耦合并耦合至第一和第二核心区域；第一和第二I/O区域介于可消耗区域和对应的第一和第二核心区域之间；密封环，围绕核心区域和I/O区域；金属化层和互连层；相互通信(inter‑com)段，在I/O区域之间延伸；第一和第二护壁，从密封环的第一侧延伸到第三侧或从对应的第三和第四护壁上的第一位置延伸到第二位置，后者从密封环的第一侧延伸到第三侧；第一护壁介于第一核心区域和第一I/O区域之间；并且第二护壁介于第二核心区域和第二I/O区域之间。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

背景技术

集成电路(“IC”)的封装件(“IC封装件”)包括一个或多个半导体器件。每个半导体器件包括一个或多个集成电路。每个集成电路包括有源器件(例如，晶体管等)和无源器件(例如，电阻器、电容器等)。这种有源器件和无源器件以不同方式耦合以提供对应集成电路的功能。典型的互连结构包括横向互连(例如，对应金属化层中的导电段)和竖直互连(例如，对应互连层中的通孔结构和“晶体管层”中的接触结构)。

IC封装件的典型制造如下。从半导体材料(例如，硅)的锭上切割衬底，其具有平坦的圆形形状，并且被称为晶圆。在晶圆上形成多个半导体器件。晶圆的表面被分成小的矩形区域。在每个矩形区域上形成半导体器件。在制造过程中的某个时刻，通过切割(也称为划线、锯切或切开)晶圆来分离半导体器件。为了防止切割工艺损坏半导体器件，在切割工艺至少部分消耗的矩形区域之间保留可消耗(或牺牲)区域。

在制造的早期阶段，表示半导体器件的一种方式是将平面图称为布局图。在设计规则的背景下生成布局图，设计规则对布局图中的对应图案的放置施加约束，例如地理/空间约束、连接性约束等。通常，设计规则集合特定于工艺节点，通过该工艺节点将基于所得布局图来制造半导体器件。设计规则集合补偿对应工艺节点的可变性。这种补偿增加了由布局图产生的实际半导体器件将成为该布局图所基于的虚拟器件的可接受对应物的可能性。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：核心电路的第一核心区域和第二核心区域；接口电路的第一输入/输出(I/O)区域和第二I/O区域，彼此耦合并对应地耦合至第一核心区域和第二核心区域，可消耗区域；相对于第一方向：可消耗区域介于第一I/O区域和第二I/O区域之间；第一I/O区域介于可消耗区域和第一核心区域之间；并且第二I/O区域介于可消耗区域和第二核心区域之间；密封环，具有第一侧、第二侧、第三侧和第四侧，密封环围绕第一核心区域和第二核心区域以及第一I/O区域和第二I/O区域；金属化层；互连层，在金属化层之间交错；相互通信(inter-com)段，位于金属化层的子集中，每个相互通信段对应地在第一I/O区域和第二I/O区域之间延伸并由此耦合第一I/O区域和第二I/O区域；第一护壁和第二护壁，每一个都从密封环的第一侧延伸到第三侧或从对应的第三护壁和第四护壁上的第一位置延伸到第二位置，第三护壁和第四护壁中的每一个都从密封环的第一侧延伸到第三侧；第一护壁介于第一核心区域和第一I/O区域之间并与第一核心区域和第一I/O区域中的每一个隔离；并且第二护壁介于第二核心区域和第二I/O区域之间并与第二核心区域和第二I/O区域中的每一个隔离。

根据本发明实施例的另一个方面，还提供了一种半导体器件，包括：核心电路的核心区域；接口电路的输入/输出(I/O)区域，耦合至核心区域；相对于垂直的第一方向和第二方向，密封环，具有第一侧、第二侧和第三侧，密封环围绕核心区域和I/O区域并与核心区域和I/O区域隔离；和第一护壁，从密封环的第一侧延伸到第三侧或从对应的第三护壁和第四护壁上的第一位置延伸到第二位置，第三护壁和第四护壁中的每一个都从密封环的第一侧延伸到第三侧，第一护壁介于核心区域和I/O区域之间并与核心区域和I/O区域中的每一个隔离。