[发明专利]一种晶体振荡器的直流偏置电路及芯片

权利要求书

1.一种晶体振荡器的直流偏置电路，其特征在于，包括：

偏置电压模块，第一输出端分别与晶体振荡器的放大管的栅极以及晶体振荡器的第一端连接，第二输出端与所述放大管的漏极、以及晶体振荡器的第二端连接，用于为所述放大管提供偏置电压；

第一偏置电流模块，输入端与直流电源连接，输出端与所述放大管的漏极连接，用于为所述放大管提供偏置电流；

第二偏置电流模块，输入端与直流电源连接，输出端与所述偏置电压模块的输入端连接，用于为所述偏置电压模块提供偏置电流；

滤波模块，包括电流镜单元和第一电容，所述电流镜单元的输入端与直流电源连接，所述电流镜单元相连的两个栅极与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端分别与所述电流镜单元的输出端以及所述偏置电压模块的输入端连接，用于滤除所述直流偏置电路中的交流成分。

2.根据权利要求1所述的直流偏置电路，其特征在于，所述电流镜单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管；

所述第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极连接后作为所述电流镜单元的输入端，栅极与漏极连接后再与所述第二PMOS管的栅极连接；所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接后作为所述电流镜单元的输出端；

所述第一PMOS管的漏极还与所述第一NMOS管的漏极连接；

所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极均接地；

所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极连接后再与第一电压连接。

3.根据权利要求2所述的直流偏置电路，其特征在于，所述电流镜单元还包括：第三NMOS管及第四NMOS管；

所述第三NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接，源极与所述第一NMOS管的漏极连接；

所述第四NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，源极与所述第二NMOS管的漏极连接；

所述第三NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极连接后作为所述电流镜单元的控制端。

4.根据权利要求3所述的直流偏置电路，其特征在于：还包括：

信号输出模块，输入端与所述晶体振荡器的第一端连接，输出端与所述电流镜单元的控制端连接，用于在所述晶体振荡器起振后输出关闭信号，关闭所述电流镜单元。

5.根据权利要求4所述的直流偏置电路，其特征在于，所述信号输出模块包括第一计数器及非门；

所述第一计数器的输入端与所述晶体振荡器的第一端连接，输出端与所述非门的输入端连接，所述非门的输出端与所述电流镜单元的控制端连接。

6.根据权利要求1所述的直流偏置电路，其特征在于，所述第一偏置电流模块包括第三PMOS管；

所述第三PMOS管的源极作为所述第一偏置电流模块的输入端与直流电源连接，漏极作为所述第一偏置电流模块的输出端与所述放大管的漏极连接，栅极与第二电压连接。

7.根据权利要求1所述的直流偏置电路，其特征在于，所述第二偏置电流模块包括第四PMOS管；

所述第四PMOS管的源极作为所述第二偏置电流模块的输入端与直流电源连接，漏极作为所述第二偏置电流模块的输出端与所述偏置电压模块的输入端连接，栅极与第二电压连接。

8.根据权利要求1所述的直流偏置电路，其特征在于，所述偏置电压模块包括：第五PMOS管、第六PMOS管及第五NMOS管；

所述第五PMOS管的源极与所述第六PMOS管的源极连接后作为所述偏置电压模块的输入端；

所述第五PMOS管的栅极作为所述偏置电压模块的第一输出端，与所述放大管的栅极连接，漏极与所述第五NMOS管的漏极连接；

所述第六PMOS管的栅极作为所述偏置电压模块的第二输出端，与所述放大管的漏极连接，漏极接地；

所述第五NMOS管的源极接地，栅极与第三电压连接。