[发明专利]一种晶体振荡器的直流偏置电路及芯片

说明书

本发明提供一种晶体振荡器的直流偏置电路及芯片，包括：偏置电压模块，用于为所述放大管提供偏置电压；第一偏置电流模块，用于为所述放大管提供偏置电流；第二偏置电流模块，用于为所述偏置电压模块提供偏置电流；滤波模块，包括电流镜单元和第一电容，用于滤除所述直流偏置电路中的交流成分。本发明采用有源的直流偏置电路替换偏置电阻，有效减小了芯片的面积；同时设置有滤波模块，可有效滤除电路中的交流成分，降低了直流偏置电路对负阻的影响，确保在不同条件下，晶体振荡器均能可靠起振。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种晶体振荡器的直流偏置电路及芯片。

背景技术

请参阅图1，现有技术中的晶体振荡器电路通常包括晶体振荡器X1、两个电容CL1及CL2、放大管MN、偏置电阻Rb以及电流源Ib。电流源Ib和偏置电阻Rb分别为放大管MN提供直流偏置电流和直流偏置电压，为了滤除振荡波形的交流成分，需要采用较大阻值的电阻，例如振荡频率达到kHz的晶体振荡器，一般要采用1M到10M欧姆的偏置电阻，若果阻值不够，会降低震荡电路提供的负阻，造成不起振的严重后果；此外，大阻值的电阻占用了非常大的面积，进而也提高了芯片成本。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶体振荡器的直流偏置电路及芯片，用于解决现有技术中偏置电阻占用的面积较大，导致芯片成本提高的问题。

本发明的第一方面提供一种晶体振荡器的直流偏置电路，包括：

偏置电压模块，第一输出端与晶体振荡器的放大管的栅极、以及晶体振荡器的第一端连接，第二输出端与所述放大管的漏极、以及晶体振荡器的第二端连接，用于为所述放大管提供偏置电压；

第一偏置电流模块，输入端与直流电源连接，输出端与所述放大管的漏极连接，用于为所述放大管提供偏置电流；

第二偏置电流模块，输入端与直流电源连接，输出端与所述偏置电压模块的输入端连接，用于为所述偏置电压模块提供偏置电流；

滤波模块，包括电流镜单元和第一电容，所述电流镜单元的输入端与直流电源连接，所述电流镜单元相连的两个栅极与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与所述电流镜单元的输出端、以及所述偏置电压模块的输入端连接，用于滤除所述直流偏置电路中的交流成分。

于本发明的一实施例中，所述电流镜单元包括：

第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管；

所述第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极连接后作为所述电流镜单元的输入端，栅极与漏极连接后再与所述第二PMOS管的栅极连接；

所述第二PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极连接后作为所述电流镜单元的输出端；

所述第一PMOS管的漏极还与所述第一NMOS管的漏极连接；

所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的源极均接地；

所述第一NMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极连接后再与第一电压连接。

于本发明的一实施例中，所述电流镜单元还包括：第三NMOS管及第四NMOS管；

所述第三NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接，源极与所述第一NMOS管的漏极连接；

所述第四NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极连接，源极与所述第二NMOS管的漏极连接；

所述第三NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极连接后作为所述电流镜单元的控制端。

于本发明的一实施例中，还包括：