[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在导电部件上方形成第一蚀刻停止层(ESL)；

在所述第一ESL上形成第一介电层；

在所述第一介电层上形成第二ESL；

在所述第二ESL上形成第二介电层；

在所述第二介电层中形成沟槽；

在所述沟槽的底面中形成延伸穿过所述第二介电层的第一开口；

在所述第一开口的底面中形成第二开口，所述第二开口延伸穿过所述第一介电层和所述第一ESL，所述第二开口暴露所述导电部件的顶面，所述第二开口具有第一宽度；

加宽所述第一开口至第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；以及

用导电材料填充所述沟槽以形成导线，并且用所述导电材料填充所述第二开口和所述第一开口以形成导电通孔。

2.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，其中，加宽所述第一开口包括进一步蚀刻所述第二介电层，其中，以比所述第二介电层的顶部更快的速率去除所述第二介电层的侧壁部分。

3.根据权利要求2所述的形成半导体器件的方法，其中，形成所述第二开口包括：

在进一步蚀刻所述第二介电层的同时，蚀刻穿过所述第一介电层以暴露所述第一ESL的一部分；并且

去除所述第一ESL的该部分。

4.根据权利要求1所述的形成半导体器件的方法，其中，沉积所述第二介电层包括：

在所述第二ESL上沉积第一介电材料；并且

在所述第一介电材料上沉积第二介电材料，其中，所述第二介电材料不同于所述第一介电材料。

5.根据权利要求4所述的形成半导体器件的方法，其中，所述第一介电材料沉积至在20埃到100埃的范围内的厚度。

6.根据权利要求5所述的形成半导体器件的方法，还包括：

在所述第二介电材料中形成沟槽，所述第一开口延伸到所述沟槽的底面中；并且

用所述导电材料填充所述沟槽。

7.根据权利要求6所述的形成半导体器件的方法，其中，所述第二介电材料具有在所述第一介电材料的顶面和所述沟槽的底面之间测量的在250埃至500埃的范围内的厚度。

8.一种形成半导体器件的方法，包括：

形成穿过第一介电层的第一开口，所述第一介电层位于第一蚀刻停止层(ESL)上，所述第一ESL位于第二介电层上，所述第二介电层位于第二ESL上，所述第二ESL位于第一导电部件上；

形成穿过所述第一ESL的第二开口，所述第二开口从所述第一开口的底部延伸；

通过蚀刻所述第一介电层的侧壁来加宽所述第一开口；

延伸所述第二开口以穿过所述第二介电层；

延伸所述第一开口以穿过所述第一ESL；

延伸所述第二开口以穿过所述第二ESL；以及

用导电材料填充所述第一开口和所述第二开口以形成导电通孔，所述导电通孔耦合至所述第一导电部件。

9.根据权利要求8所述的形成半导体器件的方法，其中，加宽所述第一开口使所述第一开口在所述第二导电部件上方延伸，所述第二导电部件在所述第二ESL下方与所述第一导电部件相邻。

10.一种半导体器件，包括：

第一导电部件，位于第一介电层中；

第二介电层，位于所述第一介电层上方；

第一蚀刻停止层(ESL)，位于所述第二介电层上；

第三介电层，位于所述第一ESL上；

导电通孔，包括：

顶部，延伸穿过所述第三介电层和所述第一ESL，所述顶部的底面覆盖所述第二介电层的顶面，所述顶部具有跨所述顶部的底面测量的第一宽度；和

底部，延伸穿过所述第二介电层，所述底部的底面落在所述第一导电部件的顶面上，所述底部具有跨所述底部的顶面测量的第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度；以及

导线，位于所述导电通孔上，所述导线的侧壁被所述第三介电层覆盖。