[发明专利]一种具有渐开线蚀刻槽道的超薄VC均热板及其设计方法

权利要求书

1.一种具有渐开线蚀刻槽道的超薄VC均热板，其特征在于，在VC均热板下盖板上设置有至少一个具有渐开线蚀刻槽道的降温单元，所述降温单元包括初始储液槽、多条与所述初始储液槽相连通的渐开线蚀刻槽道以及设置在所述渐开线蚀刻槽道上的多个平衡温度储液槽；所述初始储液槽的位置与电子元器件的高温区为同一位置。

2.根据权利要求1所述的具有渐开线蚀刻槽道的超薄VC均热板，其特征在于，所述渐开线蚀刻槽道沿所述初始储液槽直径的圆周上进行n等分渐开线设置。

3.根据权利要求2所述的具有渐开线蚀刻槽道的超薄VC均热板，其特征在于，所述平衡温度储液槽设置在n等分渐开线的节点位置。

4.根据权利要求1所述的具有渐开线蚀刻槽道的超薄VC均热板，其特征在于，所述渐开线蚀刻槽道的结构形式为等宽、逐渐变窄或逐渐变宽中的一种或一种以上的组合。

5.根据权利要求1或4所述的具有渐开线蚀刻槽道的超薄VC均热板，其特征在于，所述降温单元的渐开线蚀刻槽道的总数量为N，满足：N＝冷却液相变流出通道数量N_出+冷却液相变回流通道数量N_回+连接相邻降温单元的通道数量N_连，其中，当所述降温单元为一个时，连接相邻降温单元的通道数量N_连＝0。

6.根据权利要求5所述的具有渐开线蚀刻槽道的超薄VC均热板，其特征在于，相邻的降温单元之间相连通的渐开线蚀刻槽道为等宽的结构形式。

7.根据权利要求6所述的具有渐开线蚀刻槽道的超薄VC均热板，其特征在于，以设置在与电子元器件高温区同一位置处的降温单元为核心降温单元，核心降温单元的渐开线蚀刻槽道中，冷却液相变流出通道数量N_出＝n*冷却液相变回流通道数量N_回，冷却液相变回流通道数量N_回≥1，n≥1；冷却液相变流出通道和冷却液相变回流通道的外展端均与边缘冷却液储液槽相连，用于将冷却液从初始储液槽流出或将冷却液从边缘冷却液储液槽回流。

8.根据权利要求7所述的具有渐开线蚀刻槽道的超薄VC均热板，其特征在于，作为冷却液相变流出通道的渐开线蚀刻槽道为逐渐变宽的结构形式，越靠近边缘冷却液储液槽的位置流道越宽；作为冷却液相变回流通道的渐开线蚀刻槽道为逐渐变窄的结构形式，越靠近初始储液槽的位置流道越宽。

9.根据权利要求8所述的具有渐开线蚀刻槽道的超薄VC均热板，其特征在于，在所述冷却液相变回流通道的入口旁设置有冷却液循环流量调节口。

10.一种具有渐开线蚀刻槽道的超薄VC均热板的设计方法，其特征在于包括如下步骤：

S1、以电子元器件低温区的半径r＝πD，计算出圆形的初始储液槽的直径D；

S2、根据初始储液槽的直径D，在VC均热板下盖板上设计出至少一个具有渐开线蚀刻槽道的降温单元；

S3、设计多个降温单元时，与电子元器件的高温区位置相对应的为核心降温单元，相邻降温单元的初始储液槽之间采用等宽的渐开线蚀刻槽道连通，连通的蚀刻槽道数量根据电子元器件温控要求，散热面表面温差要求进行设计；

S4、流入边缘冷却液储液槽的渐开线蚀刻槽道逐步变宽，回流到初始储液槽的渐开线蚀刻槽道逐步变窄，蚀刻槽道的数量根据电子元器件温控要求，散热面表面温差要求进行设计；

S5、每条渐开线蚀刻槽道上均有若干数量的平衡温度储液槽；

S6、回流到核心降温单元的初始储液槽的渐开线蚀刻槽道回流入口旁设置冷却液循环流量调节口；

S7、VC均热板上盖板蚀刻成波浪形，与VC均热板下盖板焊接固定。