[发明专利]半导体器件中的接触件结构

权利要求书

1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：

在第一鳍结构和第二鳍结构上分别形成第一源极/漏极(S/D)区域和第二S/D区域；

在所述第一S/D区域和所述第二S/D区域之间形成第一电介质层；

在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上分别形成第一栅极全环绕(GAA)结构和第二GAA结构，其中，所述第一GAA结构和所述第二GAA结构被所述第一电介质层电隔离；

在所述第一GAA结构和所述第二GAA结构以及所述第一电介质层上形成第二电介质层；

在所述第二电介质层中并且在所述第一GAA结构和所述第二GAA结构以及所述第一电介质层上形成渐缩沟槽开口；

在所述第一GAA结构和所述第二GAA结构以及所述第一电介质层的在所述渐缩沟槽开口中暴露的顶表面上选择性地形成种子层；以及

在所述种子层上选择性地沉积导电层以填充所述渐缩沟槽开口。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述渐缩沟槽开口包括：形成包括具有基本竖直侧壁的顶部部分和底部部分以及具有倾斜侧壁的过渡部分的沟槽开口，其中，所述顶部部分比所述底部部分宽。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述渐缩沟槽开口包括：

在所述第二电介质层中形成具有第一宽度的沟槽开口；

在具有所述第一宽度的所述沟槽开口的底部部分沉积掩蔽层以部分填充所述沟槽开口；以及

对在所述沟槽开口中的位于所述掩蔽层上方的顶部部分中暴露的所述第二电介质层的部分执行横向蚀刻，以形成大于所述底部部分的第一宽度的所述顶部部分的第二宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地形成所述种子层包括：

在所述渐缩沟槽开口中沉积种子层材料，其中，所述种子层材料的第一部分沿着所述渐缩沟槽开口的侧壁沉积，并且所述种子层材料的第二部分沉积在所述第一GAA结构和所述第二GAA结构以及所述第一电介质层上；以及

选择性地蚀刻所述种子层材料的第一部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地形成所述种子层包括：

在所述渐缩沟槽开口中和所述第二电介质层上沉积种子层材料；

选择性地蚀刻沿着所述渐缩沟槽开口的侧壁的所述种子层材料的第一部分；

用掩蔽层填充所述渐缩沟槽开口；以及

蚀刻所述第二电介质层上的所述种子层材料的第二部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，选择性地沉积所述导电层包括：

利用具有金属卤化物的前体使用第一沉积工艺在所述种子层上沉积第一导电层；

蚀刻所述第一导电层的沿着所述渐缩沟槽开口的侧壁的部分；以及

使用所述第一沉积工艺在所述第一导电层上沉积第二导电层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述渐缩沟槽开口包括：形成包括具有第一宽度的底部部分和具有第二宽度的顶部部分的沟槽开口，其中，所述第一宽度与所述第二宽度之比在约1:1.5到约1:3的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述渐缩沟槽开口包括：形成包括具有第一高度的底部部分和具有第二高度的顶部部分的沟槽开口，其中，所述第一高度与所述第二高度之比在约1:1到约1:2的范围内。