[发明专利]半导体器件中的接触件结构

说明书

本申请公开了半导体器件中的接触件结构。公开了一种具有无衬里接触件结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在第一鳍结构和第二鳍结构上形成的第一源极/漏极(S/D)区域和第二S/D区域之间形成第一电介质层；在第一鳍结构和第二鳍结构上形成的第一栅极全环绕(GAA)结构和第二GAA结构以及在第一电介质层上形成第二电介质层；在第二电介质层中并且在第一GAA结构和第二GAA结构以及第一电介质层上形成渐缩沟槽开口；在暴露的第一GAA结构和第二GAA结构以及第一电介质层的顶表面上选择性地形成种子层；以及在种子层上选择性地沉积导电层。

技术领域

本公开涉及半导体器件中的接触件结构。

背景技术

随着半导体技术的进步，对更高存储容量、更快处理系统、更高性能和更低成本的需求不断增加。为了满足这些需求，半导体行业不断缩小半导体器件(例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括平面MOSFET、鳍式场效应晶体管(finFET)和栅极全环绕FET(GAA FET))的尺寸。这种按比例缩小增加了半导体制造工艺的复杂性。

发明内容

根据本公开的第一方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：在第一鳍结构和第二鳍结构上分别形成第一源极/漏极(S/D)区域和第二S/D区域；在所述第一S/D区域和所述第二S/D区域之间形成第一电介质层；在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上分别形成第一栅极全环绕(GAA)结构和第二GAA结构，其中，所述第一GAA结构和所述第二GAA结构被所述第一电介质层电隔离；在所述第一GAA结构和所述第二GAA结构以及所述第一电介质层上形成第二电介质层；在所述第二电介质层中并且在所述第一GAA结构和所述第二GAA结构以及所述第一电介质层上形成渐缩沟槽开口；在所述第一GAA结构和所述第二GAA结构以及所述第一电介质层的在所述渐缩沟槽开口中暴露的顶表面上选择性地形成种子层；以及在所述种子层上选择性地沉积导电层以填充所述渐缩沟槽开口。

根据本公开的第二方面，提供了一种用于形成半导体器件的方法，包括：在第一鳍结构和第二鳍结构上分别形成第一源极/漏极(S/D)区域和第二S/D区域；在所述第一S/D区域和所述第二S/D区域之间形成第一电介质层；在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构被所述第一电介质层电隔离；在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构以及所述第一电介质层上形成第二电介质层；在所述第二电介质层中并且在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构以及所述第一电介质层上形成具有种子层和导电层的无衬里接触件结构；以及在所述无衬里接触件结构中形成隔离结构。

根据本公开的第三方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；第一源极/漏极(S/D)区域和第二S/D区域，分别设置在第一鳍结构和第二鳍结构上；第一电介质层，设置在所述第一S/D区域和所述第二S/D区域之间；第一栅极结构和第二栅极结构，分别设置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上，其中，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构被所述第一电介质层电隔离；第二电介质层，设置在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构以及所述第一电介质层上；无衬里接触件结构，具有种子层和导电层，所述无衬里接触件结构在所述第二电介质层中并且在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构以及所述第一电介质层上；以及隔离结构，设置在所述无衬里接触件结构中。

附图说明

在结合附图阅读时，可以从下面的具体实施方式中最佳地理解本公开的各方面。

图1A示出了根据一些实施例的半导体器件的等距视图。

图1B示出了根据一些实施例的具有接触件结构的半导体器件的等距视图。

图1C-图1E示出了根据一些实施例的具有接触件结构的半导体器件的截面图。

图2是根据一些实施例的用于制造具有接触件结构的半导体器件的方法的流程图。