[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202210116696.9 | 申请日: | 2022-02-07 |
公开(公告)号: | CN115084193A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 郑承娟;权五正;李泓燃;姜慧智;金竟锺 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 程月;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,所述显示设备包括:
基底;
显示元件,位于所述基底上;
低反射无机层,位于所述显示元件上;
光阻挡层,位于所述低反射无机层上且限定与所述显示元件的发射区域对应的开口,所述光阻挡层包括:第一光阻挡层;以及第二光阻挡层,设置在所述第一光阻挡层上且具有与所述第一光阻挡层的光吸收波长光谱不同的光吸收波长光谱;以及
反射控制层,填充所述光阻挡层的所述开口。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二光阻挡层包括吸收具有380纳米至500纳米的波段中的波长的光的材料。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一光阻挡层设置为黑色,并且所述第二光阻挡层设置为黄色。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二光阻挡层覆盖所述第一光阻挡层的开口的侧表面的至少一部分。
5.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述反射控制层选择性地吸收可见光波段的第一波长波段和第二波长波段中的光。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述第一波长波段是480纳米至505纳米,并且所述第二波长波段是585纳米至605纳米。
7.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括像素限定层,所述像素限定层覆盖所述显示元件的像素电极的边缘且限定暴露所述像素电极的中心部分的开口,
其中,所述像素限定层包括光阻挡材料。
8.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括像素限定层,所述像素限定层覆盖所述显示元件的像素电极的边缘且限定暴露所述像素电极的中心部分的开口,
其中,所述光阻挡层的所述开口的宽度大于所述像素限定层的所述开口的宽度。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述低反射无机层包括镱、铋、钴、钼、钛、锆、铝、铬、铌、铂、钨、铟、锡、铁、镍、钽、锰、锌和锗中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述反射控制层包括染料和颜料中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括位于所述显示元件与所述低反射无机层之间的盖层。
12.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括:
薄膜封装层,位于所述低反射无机层上;以及
触摸感测层,位于所述薄膜封装层上,
其中,所述光阻挡层位于所述触摸感测层上。
13.一种显示设备,所述显示设备包括:
基底;
第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件,位于所述基底上;
低反射无机层,共同地布置在所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件上;
光阻挡层,位于所述低反射无机层上且限定分别与所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件的发射区域对应的开口,所述光阻挡层包括:第一光阻挡层;以及第二光阻挡层,设置在所述第一光阻挡层上且具有与所述第一光阻挡层的光吸收波长光谱不同的光吸收波长光谱;以及
反射控制层,填充所述光阻挡层的所述开口且共同地布置在所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件上,
其中,所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件发射彼此不同颜色的光。
14.根据权利要求13所述的显示设备,其中,所述第一光阻挡层设置为黑色,并且所述第二光阻挡层设置为黄色。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的