[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202210116696.9 | 申请日: | 2022-02-07 |
公开(公告)号: | CN115084193A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 郑承娟;权五正;李泓燃;姜慧智;金竟锺 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 程月;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
公开了一种显示设备。该显示设备包括:基底;显示元件,在基底上;低反射无机层,在显示元件上;光阻挡层,在低反射无机层上且限定与显示元件的发射区域对应的开口;以及反射控制层,填充光阻挡层的开口。光阻挡层包括具有彼此不同的光吸收波长光谱的第一光阻挡层和第二光阻挡层。
本申请要求于2021年3月15日提交的第10-2021-0033455号韩国专利申请的优先权以及由此获得的所有权益,该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
实施例涉及一种显示设备。
背景技术
最近,显示设备的用途已经多样化。另外,显示设备变得更薄且更轻,因此,显示设备的使用正在扩大。随着显示设备在各种领域中的使用,对提供高质量图像的显示设备的需求正在增大。
发明内容
实施例包括一种其中改善了光效率和可视性以提供高质量图像的显示设备。然而,这仅是示例,并且发明的范围不由此限制。
附加的特征将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地将通过描述而明显,或者可以通过发明的给出的实施例的实践来获知。
在发明的实施例中,显示设备包括:基底;显示元件,在基底上;低反射无机层,在显示元件上;光阻挡层,在低反射无机层上且限定与显示元件的发射区域对应的开口;以及反射控制层,填充光阻挡层的开口。光阻挡层包括具有彼此不同的光吸收波长光谱的第一光阻挡层和第二光阻挡层。
在实施例中,第二光阻挡层可以包括吸收具有约380纳米(nm)至约500nm的波段中的波长的光的材料。
在实施例中,第一光阻挡层可以设置为黑色,并且第二光阻挡层可以设置为黄色。
在实施例中,第二光阻挡层可以覆盖第一光阻挡层的开口的侧表面的至少一部分。
在实施例中,反射控制层可以选择性地吸收可见光波段的第一波长波段和第二波长波段中的光。
在实施例中,第一波长波段可以是约480nm至约505nm,并且第二波长波段可以是约585nm至约605nm。
在实施例中,显示设备还可以包括像素限定层,像素限定层覆盖显示元件的像素电极的边缘且限定暴露像素电极的中心部分的开口,其中像素限定层可以包括光阻挡材料。
在实施例中,显示设备还可以包括像素限定层,像素限定层覆盖显示元件的像素电极的边缘且限定暴露像素电极的中心部分的开口,其中光阻挡层的开口的宽度可以大于像素限定层的开口的宽度。
在实施例中,低反射无机层可以包括镱(Yb)、铋(Bi)、钴(Co)、钼(Mo)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、铬(Cr)、铌(Nb)、铂(Pt)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)、铁(Fe)、镍(Ni)、钽(Ta)、锰(Mn)、锌(Zn)和锗(Ge)中的至少一种。
在实施例中,反射控制层可以包括染料和颜料中的至少一种。
在实施例中,显示设备还可以包括在显示元件与低反射无机层之间的盖层。
在实施例中,显示设备还可以包括:薄膜封装层,在低反射无机层上;以及触摸感测层,在薄膜封装层上,其中,光阻挡层可以在触摸感测层上。
在发明的实施例中,显示设备包括:基底;第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件,在基底上且发射彼此不同颜色的光;低反射无机层,共同地布置在第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件上;光阻挡层,在低反射无机层上且限定分别与第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件的发射区域对应的开口;以及反射控制层,填充光阻挡层的开口且共同地布置在第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件上。光阻挡层包括具有彼此不同的光吸收波长光谱的第一光阻挡层和第二光阻挡层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的