[发明专利]石墨烯金属复合材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202210116860.6 申请日: 2022-02-07
公开(公告)号: CN115029682A 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 沈大勇;王炜;谭化兵;瞿研 申请(专利权)人: 常州第六元素半导体有限公司
主分类号: C23C16/26 分类号: C23C16/26;C23C16/505;C23C16/56;C22C1/10;C22C1/02;C01B32/186;C22C9/00;C22C9/06;C22C19/03;C22C1/05;B22F3/14;C22C47/04;C22C47/06;C22C49/02
代理公司: 北京世衡知识产权代理事务所(普通合伙) 11686 代理人: 肖淑芳
地址: 213100 江苏省常州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 石墨 金属 复合材料 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提供一种石墨烯金属复合材料的制备方法,包括:S1:在金属材料表面生长出石墨烯;S2:将生长有石墨烯的金属材料升温至其形成烧结或熔融状态,对生长有石墨烯的金属材料施加压力;S3:对生长有石墨烯的金属材料进行降温。相比于已有方法,本发明方法避免了生长和烧结需要更换设备,更换生长位置等带来的作业流程长,能耗高且浪费,制备成本高昂等问题。在不降低复合材料性能的前提下,真正的实现了一步法制备,降低了生产成本,提升了生长效率。

技术领域

本发明涉及一种石墨烯与传统金属的复合材料及其制备方法,属于合金制备的技术领域。

背景技术

通过石墨烯等新型材料与传统金属材料进行复合,可以让传统金属材料,发挥出优异的性能,包括电学,力学,热力学等方面。目前这些材料已经在技术和市场上,得到了较高的认可和一定的应用。

当前主要的制备方法,一般分为两种。一种是直接将石墨烯粉体,与金属材料在不同固液状态下进行混合,随后制备成所需的状态、形状进行后续使用。不过这种方法存在几个问题:难以保证石墨烯的分散效果,导致金属材料最终的性能不均匀,影响使用效果;金属材料与石墨烯之间难以形成良好的欧姆接触,这种情况下材料性能未必能够有效发挥,甚至反而可能会起负面作用;最后石墨烯在复合过程中容易发生破损,从而使性能效果远低于预期。

为了解决上述问题,直接生长石墨烯的方法被发明出来。通常是在金属表面,通过化学气相沉积法直接原位生长石墨烯,随后将生长好石墨烯的金属材料,在一定条件下进行熔融或烧结在一起,从而解决上述的几个问题。但是生长石墨烯通常使用的是化学气相沉积设备,而烧结和熔融需要在烧结设备或者熔融设备中进行。而这两个设备方法都需要经过高温。这样就存在材料先升温生长石墨烯,再降温取出,放置在烧结设备或熔融设备中,再次升温处理,随后降温取出。工序流程长,耗能高,造成生产周期长,生产成本高,不利于材料的大规模工业化生产和推广应用。

发明内容

鉴于上述问题,本发明提供一种石墨烯金属复合材料的制备方法,包括:

S1:在金属材料表面生长出石墨烯;

S2:将生长有石墨烯的金属材料升温至其形成烧结或熔融状态,对生长有石墨烯的金属材料施加压力;

S3:对生长有石墨烯的金属材料进行降温。

在步骤S2中,将生长有石墨烯的金属材料烧结成型,烧结后原来离散分布的金属与金属之间,形成了一整块,便于后续的使用,升温和施压可以同时进行,也可以先施压后升温,在于达到烧结/熔融温度后,有压力施加在金属材料上,辅助金属材料成型,施压增大金属和金属之间的接触面积,避免最终成型的材料中有孔洞。同时也是为了实现材料的定型。

可选地,所述S1至S3均在同一腔体中完成。本发明将石墨烯生长,和真空热压烧结,在同一个腔体中实现,不改变石墨烯生长的腔体,避免了改变腔体需要降温、破真空、改变位置、抽真空、升温这一些列高耗能,长耗时的工序。

可选地,所述S1中,采用气相沉积法实现在金属材料表面生长出石墨烯。

可选地,采用PECVD法实现在金属材料表面生长出石墨烯。

可选地,先将腔体形成真空状态,加热至生长温度,再将生长气氛经过电离后形成等离子体后运输至金属表面,在生长气氛压强下进行生长。为了解决石墨烯生长质量不完整,金属熔融、粘结的问题,引入了等离子体辅助生长石墨烯,从而实现较低温度生长,避免了金属黏连。

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