[发明专利]用于三态输出级的防闩锁电路及芯片在审
| 申请号： | 202210122444.7 | 申请日： | 2022-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN114499489A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 董伟忠 | 申请（专利权）人： | 上海申矽凌微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 上海锻创知识产权代理有限公司 31448 | 代理人： | 范文琦 |
| 地址： | 201108 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 三态 输出 防闩锁 电路 芯片 | ||
1.一种用于三态输出级的防闩锁电路，其特征在于，包括三态输出电路，N-Well电位选择电路和P-Well电位选择电路；所述三态输出电路上设置有输入端，所述三态输出电路的输出端分别与N-Well电位选择电路和P-Well电位选择电路连接。
2.根据权利要求1所述的三态输出级的防闩锁电路，其特征在于：所述三态输出电路包括mos管M1和mos管M2，所述mos管M1的栅极构成Input 1端，所述mos管M1的源极连接Vdd；所述mos管M2的栅极构成Input2端，所述mos管M2的源极连接GND，所述mos管M1的漏极与mos管M2的漏极连接并构成Output端。
3.根据权利要求2所述的三态输出级的防闩锁电路，其特征在于：所述N-Well电位选择电路包括mos管M3和mos管M4，所述P-Well电位选择电路包括mos管M5和mos管M6；
所述mos管M1的源极分别连接mos管M4的源极和mos管M3的栅极，所述mos管M1的衬底分别连接mos管M3的衬底和漏极以及mos管M4的衬底和漏极；
所述mos管M2的源极分别连接mos管M5的栅极和mos管M6的源极，所述mos管M2的衬底分别连接mos管M5的衬底和漏极以及mos管M6的衬底和漏极；
所述Output端与mos管M3的源极、mos管M4的栅极、mos管M5的源极以及mos管M6的栅极连接。
4.根据权利要求3所述的三态输出级的防闩锁电路，其特征在于：所述mos管M3的衬底和漏极构成N-Well电位选择电路的电压输出端。
5.根据权利要求3所述的三态输出级的防闩锁电路，其特征在于：所述mos管M5的衬底和漏极构成P-Well电位选择电路的电压输出端。
6.根据权利要求1所述的三态输出级的防闩锁电路，其特征在于：所述三态输出电路包括寄生PNP三极管、寄生NPN三极管、寄生电阻Rp以及寄生电阻Rn，所述PNP三极管的一个发射极连接Vdd，所述PNP三极管的另一个发射极构成连接Output端，所述PNP三极管的集电极分别连接电阻Rp的一端和NPN三极管的基极，所述电阻Rp的另一端连接P-Well电位选择电路，所述PNP三极管的基极分别连接电阻Rn的一端和NPN三极管的集电极，所述电阻Rn的另一端连接N-Well电位选择电路，所述NPN三极管的一个发射极构成Output端，所述NPN三极管的另一个发射极连接GND端。
7.根据权利要求6所述的三态输出级的防闩锁电路，其特征在于：所述电阻Rp的另一端分别连接mos管M5的衬底和漏极以及mos管M6的衬底和漏极；所述PNP三极管的一个发射极分别连接mos管M5的源极和和mos管M6的栅极，所述mos管M6的源极连接GND端，所述mos管M4的源极和mos管M3的栅极连接Vdd，所述电阻Rn的另一端分别连接mos管M4的衬底和漏极以及mos管M3的衬底和漏极，所述NPN三极管的一个发射极分别连接mos管M3的源极和mos管M4的栅极。
8.一种芯片，其特征在于：包括权利要求1-7任一项所述的三态输出级的防闩锁电路。
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