[发明专利]一种银用量低的异质结太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种银用量低的异质结太阳能电池，其特征在于：它包括待形成电极的电池片、位于电池片背面的金属导电层、位于金属导电层表面的抗氧化保护层以及在抗氧化保护层形成之后且由多个焊盘组成的焊盘组件。

2.根据权利要求1所述的银用量低的异质结太阳能电池，其特征在于：所述金属导电层的厚度为100～500nm，方阻小于0.3Ω/□；所述抗氧化保护层的厚度为10～50nm。

3.根据权利要求1所述的银用量低的异质结太阳能电池，其特征在于：所述焊盘组件由多个焊盘阵列组成，每个焊盘阵列包括间隔分布的多个大焊盘以及间隔分布于大焊盘之间的小焊盘。

4.根据权利要求3所述的银用量低的异质结太阳能电池，其特征在于：每个焊盘阵列中，大焊盘均匀间隔分布，小焊盘均匀间隔分布于大焊盘之间。

5.根据权利要求3所述的银用量低的异质结太阳能电池，其特征在于：它还包括位于电池片正面的正面栅线电极；所述焊盘阵列的数量与正面栅线电极主栅线的数量一致；每个焊盘阵列中，大焊盘数量不少于5个，小焊盘数量不少于8个。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的银用量低的异质结太阳能电池，其特征在于：所述金属导电层和抗氧化保护层呈栅线图形，各焊盘与背面栅线电极电连接。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的银用量低的异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：在待形成电极的电池片背面依次形成金属导电层、抗氧化保护层和焊盘组件。

8.根据权利要求7所述的异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所述金属导电层的沉积方法为，采用磁控溅射、活化等离子溅射或蒸镀方式进行沉积的金属膜层；所述金属导电层，厚度为100～500nm且方阻小于0.3Ω/□，和/或，由铜、铝、镍、钛、铬和镍合金中的一种以上沉积形成；

所述抗氧化保护层的沉积方法为，采用磁控溅射、活化等离子溅射或蒸镀方式进行沉积的保护膜层；所述抗氧化保护层，厚度为10～50nm和/或由氧化铟锡和含铜、铬或其他元素的镍合金中的一种沉积形成。

9.根据权利要求7或8所述的异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：在形成焊盘组件之前，采用蚀刻方式对抗氧化保护层和金属导电层进行刻蚀以形成背面栅线电极，然后在背面栅线电极之上形成焊盘组件；或者，依据正面栅线电极的主栅数量分布进行焊盘阵列排布以形成焊盘组件。

10.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池制作方法，其特征在于：所述焊盘组件的形成方法为，采用银浆印刷方式在制成抗氧化保护层之后形成多个焊盘阵列，其每个焊盘阵列通过大焊盘和小焊盘进行组合排布，大焊盘间隔分布，小焊盘间隔分布于大焊盘之间。