[发明专利]双向静电放电保护装置

权利要求书

1.一种双向静电放电保护装置，其特征在于，包括：

至少一个双极性接面晶体管；以及

至少一个硅控整流器，串联耦接所述至少一个双极性接面晶体管，其中在静电放电电压施加在所述至少一个双极性接面晶体管与所述至少一个硅控整流器时，所述至少一个双极性接面晶体管的崩溃电压的绝对值小于所述至少一个硅控整流器的崩溃电压的绝对值，且所述至少一个双极性接面晶体管的握持电压的绝对值大于所述至少一个硅控整流器的握持电压的绝对值。

2.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，在正静电放电电压施加在所述至少一个双极性接面晶体管与所述至少一个硅控整流器时，所述至少一个双极性接面晶体管与所述至少一个硅控整流器具有一第一代表性电流对电压曲线，在负静电放电电压施加在所述至少一个双极性接面晶体管与所述至少一个硅控整流器时，所述至少一个双极性接面晶体管与所述至少一个硅控整流器具有一第二代表性电流对电压曲线，所述第一代表性电流对电压曲线与所述第二代表性电流对电压曲线以零电压为中心彼此呈对称或非对称。

3.如权利要求2所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述第一代表性电流对电压曲线具有一第一崩溃电压、一第一握持电压与一第一箝位电压，所述第二代表性电流对电压曲线具有一第二崩溃电压、一第二握持电压与一第二箝位电压，所述第一崩溃电压、所述第一握持电压与所述第一箝位电压的绝对值分别等于所述第二崩溃电压、所述第二握持电压与所述第二箝位电压的绝对值。

4.如权利要求1所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，还包括：

一半导体基板，具有第一导电型，所述半导体基板上设有一磊晶层，所述磊晶层具有与所述第一导电型相反的第二导电型，所述至少一个双极性接面晶体管、一第一掺杂阱区与至少一个第二掺杂阱区设于所述磊晶层中，所述第一掺杂阱区与所述至少一个第二掺杂阱区具有所述第一导电型，一第一重掺杂区与一第二重掺杂区设于所述第一掺杂阱区中，所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区分别具有所述第二导电型与所述第一导电型，至少一个第三重掺杂区与至少一个第四重掺杂区设于所述至少一个第二掺杂阱区中，所述至少一个第三重掺杂区与所述至少一个第四重掺杂区分别具有所述第一导电型与所述第二导电型，所述磊晶层、所述第一掺杂阱区、所述至少一个第二掺杂阱区、所述第一重掺杂区、所述第二重掺杂区、所述至少一个第三重掺杂区与所述至少一个第四重掺杂区形成所述至少一个硅控整流器，所述至少一个双极性接面晶体管经由一外部导线耦接所述第一重掺杂区与所述第二重掺杂区；以及

一隔离结构，设于所述磊晶层中，并位于所述至少一个硅控整流器与所述至少一个双极性接面晶体管之间，其中所述隔离结构接触所述半导体基板，并将所述至少一个硅控整流器与所述至少一个双极性接面晶体管隔离，所述隔离结构的底部位置等于或深于所述磊晶层的底部位置。

5.如权利要求4所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述隔离结构设于所述半导体基板中。

6.如权利要求4所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述隔离结构环绕所述至少一个硅控整流器与所述至少一个双极性接面晶体管。

7.如权利要求4所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，还包括一重掺杂埋层，其设于所述半导体基板与所述磊晶层之间，并设于所述至少一个双极性接面晶体管与所述至少一个硅控整流器的下方，其中所述重掺杂埋层具有所述第二导电型，所述隔离结构贯穿所述重掺杂埋层。

8.如权利要求4所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型。

9.如权利要求4所述的双向静电放电保护装置，其特征在于，所述第一导电型为P型，所述第二导电型为N型。