[发明专利]一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料在审
| 申请号： | 202210125444.2 | 申请日： | 2022-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN114436608A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 罗浩;杨小华;蔡建财 | 申请（专利权）人： | 福建晶烯新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B28/10 | 分类号： | C04B28/10;H05B3/34 |
| 代理公司： | 北京深川专利代理事务所(普通合伙) 16058 | 代理人： | 张彦 |
| 地址： | 364000 福建省龙岩市新*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 纳米 电热 膜水基 阻隔 浆料 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于，其主要成分及重量份配比为：二氧化硅5％-10％、氧化钙5％-10％、活性氧化镁10％-15％、氧化镁30％-55％、蒸馏水25％-35％。
2.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：由二氧化硅5％、氧化钙5％、活性氧化镁10％、氧化镁55％、蒸馏水25％组成。
3.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：由二氧化硅10％、氧化钙10％、活性氧化镁15％、氧化镁30％、蒸馏水35％组成。
4.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：由二氧化硅7％、氧化钙7％、活性氧化镁13％、氧化镁43％、蒸馏水30％组成。
5.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：氧化镁选用重质氧化镁。
6.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：通过控制蒸馏水、活性氧化镁和氧化镁的加入量来控制浆料的稀稠度。
7.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：采用毛刷涂刷方式将阻隔浆料涂布在半导体纳米电热膜基体的绝缘部位。
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