[发明专利]一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料

说明书

本发明涉及一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料。本发明提供了阻隔浆料，其中含有二氧化硅、氧化钙、活性氧化镁、氧化镁、蒸馏水，整个浆料制作快速简单，可以即配即用，经济效益高，可大批量工业化稳定生产，经高温烧结后不会开裂，可以完美的覆盖在镀膜基体的绝缘处防止镀膜，且经高温烧结后易清洗，用手擦拭即可除去，用水冲洗更清洁快速。半导体纳米电热膜阻隔浆料使用在镀膜工艺之前，可以防止半导体纳米电热膜镀膜在基体绝缘处，之后无需再做除膜加工处理，极大的提高了半导体纳米电热膜发热体的生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体纳米电热膜技术领域，具体为一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料。

背景技术

半导体纳米电热膜是新一代的发热材料。它的发热方式不同于传统金属电阻丝。它零感抗，纯电阻发热，可接受1V-1000V电压输入，供电电源不分正负，交直流均可使用。并且以面状发热打破了传统的线状发热形态，热传递效果好，电热转换效率高：80％～97％，具有较好的节能优势。其具有抗酸碱腐蚀，抗氧化，阻燃，防潮，膜层硬度高，需金刚砂以上的硬度打磨才会破坏膜层，膜层无毒、无有害辐射、无任何污染等物化性质。

在半导体纳米电热膜不发热区域需要做绝缘处理，也就是所谓的去除多余的电热膜区域。除膜技术中一般包含激光除膜，打磨，喷砂除膜，化学腐蚀等方法，但这些方式大多运用在镀膜后再进行的后续加工除膜处理，适用于小批量，少量打样时运用。但在大批量生产时，后期的加工会造成大量的人工和时间成本。在基体上涂布阻隔浆料，在镀膜前就可以防止半导体纳米电热膜镀膜在基体绝缘处，之后无需再除膜加工处理，极大的提高了半导体纳米电热膜发热体的生产效率。

发明内容

鉴于现有技术中所存在的问题，本发明公开了一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其主要成分及重量份配比为：

作为本发明的一种优选方案，氧化镁选用重质氧化镁。

作为本发明的一种优选方案，通过控制蒸馏水、活性氧化镁和氧化镁的加入量来控制浆料的稀稠度。

作为本发明的一种优选方案，采用毛刷涂刷方式将阻隔浆料涂布在半导体纳米电热膜基体的绝缘部位，然后将基体通过高温烧结镀上半导体纳米电热膜，在涂布了阻隔浆料的部位不会形成电热膜，待冷却后通过物理摩擦或水冲洗的方式去除半导体纳米电热膜阻隔浆料，然后便可将镀膜基体制作银浆电极和接线端子。

本发明的有益效果：本发明提供了阻隔浆料，其中含有二氧化硅、氧化钙、活性氧化镁、氧化镁、蒸馏水，整个浆料制作快速简单，可以即配即用，经济效益高，可大批量工业化稳定生产，经高温烧结后不会开裂，可以完美的覆盖在镀膜基体的绝缘处防止镀膜，且经高温烧结后易清洗，用手擦拭即可除去，用水冲洗更清洁快速。半导体纳米电热膜阻隔浆料使用在镀膜工艺之前，可以防止半导体纳米电热膜镀膜在基体绝缘处，之后无需再做除膜加工处理，极大的提高了半导体纳米电热膜发热体的生产效率。

具体实施方式

实施例1

本发明所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其主要成分及重量份配比为：

其中氧化镁选用重质氧化镁；通过控制蒸馏水、活性氧化镁和氧化镁的加入量来控制浆料的稀稠度；采用毛刷涂刷方式将阻隔浆料涂布在半导体纳米电热膜基体的绝缘部位，然后将基体通过高温烧结镀上半导体纳米电热膜，在涂布了阻隔浆料的部位不会形成电热膜，待冷却后通过物理摩擦或水冲洗的方式去除半导体纳米电热膜阻隔浆料，然后便可将镀膜基体制作银浆电极和接线端子。

实施例2

本发明所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其主要成分及重量份配比为：