[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202210126465.6 | 申请日: | 2022-02-10 |
公开(公告)号: | CN114420711A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 张有为;程一鸣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
基底,包括显示区和至少位于所述显示区一侧的绑定区;
像素定义层,位于所述基底的一侧,且位于所述显示区和所述绑定区,其中,位于所述绑定区的像素定义层远离所述基底一侧的表面与所述基底的最短距离小于位于所述显示区的像素定义层远离所述基底一侧的表面与所述基底的最短距离。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,位于所述绑定区的像素定义层远离所述基底一侧的表面与所述基底的最短距离为d1,位于所述显示区的像素定义层远离所述基底一侧的表面与所述基底的最短距离为d2,1.5≤d2/d1≤1.9。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,位于所述绑定区的像素定义层沿垂直于所述基底的方向的厚度为0.8微米至1微米。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括依次设置在所述基底上的第一电极、第二电极和第三电极,所述第一电极、第二电极和第三电极设置在所述绑定区,所述第二电极通过第一过孔电连接所述第一电极,所述第三电极通过第二过孔电连接所述第二电极。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括依次设置在所述基底上的第一电极、第二电极和第三电极,所述第一电极设置在所述绑定区,所述第二电极和所述第三电极至少部分设置在所述绑定区,所述第三电极通过第三过孔电连接所述第二电极,所述第三电极通过第四过孔电连接所述第一电极。
6.根据权利要求4或5所述的显示基板,其特征在于,所述像素定义层还包括暴露所述第三电极的绑定开口,在平行于基底的平面上,所述绑定开口的底部的正投影位于所述第三电极的正投影内。
7.根据权利要求4或5所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括位于所述显示区的多个子像素,所述多个子像素中的至少一个包括薄膜晶体管、平坦层以及发光元件;
所述平坦层位于所述薄膜晶体管远离所述基底一侧,以覆盖所述薄膜晶体管;
所述发光元件位于所述平坦层远离基底一侧,且所述发光元件包括阳极;
所述平坦层包括第一平坦层过孔;
所述薄膜晶体管包括位于所述基底上的栅电极,位于所述栅电极远离所述基底一侧的有源层,以及位于所述有源层远离所述基底一侧的源电极和漏电极,并且所述源电极和所述漏电极中之一通过所述第一平坦层过孔与所述发光元件的阳极电连接;
所述第三电极与所述阳极同层设置。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极与所述栅电极同层设置;
所述第二电极与所述源电极或所述漏电极同层设置。
9.根据权利要求4或5所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括位于所述显示区的多个子像素,所述多个子像素中的至少一个包括薄膜晶体管、平坦层以及发光元件;
所述平坦层位于所述薄膜晶体管远离所述基底一侧,以覆盖所述薄膜晶体管;
所述发光元件位于所述平坦层远离所述基底一侧,且所述发光元件包括阳极;
所述平坦层包括第一平坦层过孔;
所述薄膜晶体管包括位于所述基底上的有源层,位于所述有源层远离所述基底一侧的栅电极,以及位于所述栅电极远离所述基底一侧的源电极和漏电极,并且所述源极和所述漏电极中之一通过所述第一平坦层过孔与所述发光元件的阳极电连接;
所述第三电极与所述阳极同层设置,所述第一电极与所述栅电极同层设置;所述第二电极与所述源电极或所述漏电极同层设置。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至9任一所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的