[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202210126465.6 | 申请日: | 2022-02-10 |
公开(公告)号: | CN114420711A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 张有为;程一鸣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 解婷婷;曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
显示基板及其制备方法、显示装置,所述显示基板包括:基底,包括显示区和至少位于所述显示区一侧的绑定区;像素定义层,位于所述基底的一侧,且位于所述显示区和所述绑定区,其中,位于所述绑定区的像素定义层远离所述基底一侧的表面与所述基底的最短距离小于位于所述显示区的像素定义层远离所述基底一侧的表面与所述基底的最短距离。本实施例提供的方案,减少了位于绑定区的像素定义层的厚度,减少了像素定义层与绑定焊盘之间的段差,可以提高后续IC绑定的良率。
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术,尤指显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
自发光显示技术中不管是有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)抑或量子点发光二极管(Quantum dot Light Emitting Diode,QLED)显示技术,不管打印工艺抑或蒸镀工艺,皆需于像素中制作出孔洞设计,方便后段OLED/QLED蒸镀或打印相关发光材料进入孔洞内,业界中俗称像素定义层(Pixel Definiton Layer或Bank Layer,简称PDL)。蒸镀或打印设计中对其Bank厚度有所需求。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置,提高绑定良率。
一方面,本公开实施例提供一种显示基板,包括:
基底,包括显示区和至少位于所述显示区一侧的绑定区;
像素定义层,位于所述基底的一侧,且位于所述显示区和所述绑定区,其中,位于所述绑定区的像素定义层远离所述基底一侧的表面与所述基底的最短距离小于位于所述显示区的像素定义层远离所述基底一侧的表面与所述基底的最短距离。
另一方面,本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法,包括:
在基底的一侧形成设置有像素开口的像素定义层,所述基底包括显示区和至少位于所述显示区一侧的绑定区,所述像素定义层设置在所述显示区和所述绑定区,所述像素开口设置在所述显示区;
在所述像素定义层远离所述基底一侧涂覆光刻胶,进行半色调掩膜曝光、显影和灰化处理,使得显影后所述像素开口的底部无光刻胶,灰化处理后所述像素开口的侧壁至少部分覆盖有光刻胶;且覆盖位于所述显示区的像素定义层的光刻胶的曝光程度与覆盖位于所述绑定区的像素定义层的光刻胶的曝光程度不同,以使得灰化处理后,位于所述绑定区的像素定义层远离所述基底一侧的表面与所述基底的最短距离小于位于所述显示区的像素定义层远离所述基底一侧的表面与所述基底的最短距离;
剥离所述光刻胶。
又一方面,本公开实施例提供一种显示装置,包括上述显示基板。
本公开实施例包括一种显示基板及其制备方法、显示装置,所述显示基板包括:基底,包括显示区和至少位于所述显示区一侧的绑定区;像素定义层,位于所述基底的一侧,且位于所述显示区和所述绑定区,其中,位于所述绑定区的像素定义层远离所述基底一侧的表面与所述基底的最短距离小于位于所述显示区的像素定义层远离所述基底一侧的表面与所述基底的最短距离。本实施例提供的方案,减少了位于绑定区的像素定义层的厚度,减少了像素定义层与绑定焊盘之间的段差,可以提高后续IC绑定的良率。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
在阅读并理解了附图和详细描述后,可以明白其他方面。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的