[发明专利]适用于IGBT器件的高温特性参数量产测试方法

说明书

本发明涉及一种测试方法，尤其是一种适用于IGBT器件的高温特性参数量产测试方法。在高温量产测试时，先选择一IGBT器件作为IGBT器件样品，通过对IGBT器件样品测试的参数校准测试，以能得到量产测试基准电压VCEJZ、量产测试基准电压VGEJZ以及量产测试基准脉冲宽度TpJZ，并将量产测试基准电压VCEJZ、量产测试基准电压VGEJZ以及量产测试基准脉冲宽度TpJZ作为默认测试条件对其他IGBT器件直接进行高温量产测试，量产测试基准脉冲宽度TpJZ和延迟时间Tdelay都不超过毫秒级，测试速度快，提高测试效率；通过IGBT器件自身导通功耗对当前的IGBT器件进行加热，量产测试时无需通过恒温加热台或者恒温加热底座进行加热，节省能耗和成本。

技术领域

本发明涉及一种测试方法，尤其是一种适用于IGBT器件的高温特性参数量产测试方法。

背景技术

基于不同类型的半导体材料，如单晶硅、氮化硅、氮化镓等制造的半导体器件，被广泛应用于消费、工控和新能源等领域，这类半导体器件有别于集成电路，一般成为分离器件，其中包括二极管、双极性晶体管、晶闸管、场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管IGBT等。

由于制造半导体器件的半导体材料本身的温度特性，半导体器件的特性参数在不同温度下也会表现出不同的特征，一般包括常温特性，低温特性和高温特性，其中，高温特性一般指温度高于常温25度的参数特征。为了保证半导体器件的质量和品质，降低半导体器件在终端使用环境下的失效率，半导体器件的生产厂家会在器件量产出厂前安排特性参数测试筛选环节，其中高温参数测试为重要且难度较大的环节之一。

目前，对半导体器件进行高温参数测试一般有两种方法：一是通过恒温加热台对半导体器件进行加热后测试；二是将半导体器件放入恒温加热箱，以进行所需的测试。所述两种测试方法存在的主要不足是测试时间较长，效率较低，测试成本较高，不合适量产测试，一般通过恒温加热台或者恒温加热箱来对半导体器件进行加热，需要几分钟到几十分钟不等的时间让待测器件温度稳定在所需温度下，所需测试温度越高，时间越长，测试效率越底，相应的能耗和测试成本越高。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种适用于IGBT器件的高温特性参数量产测试方法，其能适用于IGBT器件出厂前的量产测试，提高测试效率，降低测试能耗以及测试成本。

按照本发明提供的技术方案，一种适用于IGBT器件的高温特性参数量产测试方法，所述高温特性参数量产测试方法包括如下步骤：

步骤1、提供一IGBT器件样品，并测量所述IGBT器件样品在不同温度下样品器件参考参数的样品器件参考参数测试值，以根据所述IGBT器件样品在不同温度下的样品器件参考参数测试值生成一器件样品测试参考校正基准；

步骤2、对上述IGBT器件样品进行参数校准测试，在参数校准测试时，提供一加载到所述IGBT器件样品的集电极端与发射极端的正电压VCE以及加载到所述IGBT器件样品的门极端与发射极端的正电压VGE，所述正电压VGE为脉冲宽度为Tp的脉冲电压，通过正电压VGE使得IGBT器件样品处于导通状态，并在所述IGBT器件样品导通后，测量所述IGBT器件样品的样品器件参考参数测试值；

根据器件样品测试参考校正基准，确定与样品器件参考参数测试值相对应的当前结温Tvj，若当前结温Tvj与器件样品测试参考基准内的参考基准结温Tvj不匹配时，调节当前相应的正电压VCE、正电压VGE以及脉冲宽度Tp，直至使得调节后当前结温Tvj与器件样品测试参考基准内的基准结温Tvj匹配；

当前结温Tvj与器件样品测试参考基准内的参考基准结温Tvj匹配时，将当前正电压VCE设定为量产测试基准电压VCEJZ，将当前的正电压VGE设定为量产测试基准电压VGEJZ，并将当前的脉冲宽度Tp设定为量产测试基准脉冲宽度TpJZ；