[发明专利]芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质

权利要求书

1.一种芯片失效分析方法，其特征在于，所述方法包括：

获取第一状态的热熔蜡；所述第一状态为软化状态；

采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧，并对所述第一状态的热熔蜡的另一侧进行塑型，得到所述第一状态的研磨体；所述研磨体中所述待研磨样品保持水平；

基于所述第一状态的研磨体，获取第二状态的研磨体，所述第二状态为凝固状态；

在固定所述第二状态的研磨体上塑型的热熔蜡后，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到待分析芯片；

对所述待分析芯片进行失效分析，得到分析结果。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧之前，所述方法还包括：

确定所述待研磨样品是否有封装；

若没有封装，则采用AB胶将所述待研磨样品进行包裹处理，得到新的待研磨样品。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧，包括：

将所述第一状态的热熔蜡的一侧向放置在水平平面上的待研磨样品按压，以保持所述待研磨样品与所述平面平行。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，获取第一状态的热熔蜡，包括：

按照预设软化温度，对获取的第二状态的热熔蜡进行加热，得到第一状态的热熔蜡；所述预设软化温度不小于热熔蜡的最低软化温度且小于最高软化温度；

获取第二状态的研磨体，包括：

将所述第一状态的研磨体中的热熔蜡降温至预设凝固温度，得到第二状态的研磨体。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到待分析芯片，包括：

监测所述待研磨样品的正面与所述待研磨样品的背面间的变化距离；

若监测的变化距离小于预设的安全研磨距离，则采用粗磨工艺，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到研磨后的初级研磨体；

若监测的变化距离不小于预设的安全研磨距离，则采用细磨工艺，对所述初级研磨体中的待研磨样品进行研磨，研磨至所述待研磨样品的目标位置；

在研磨至目标位置后，去除研磨后的研磨体的热熔蜡，得到待分析芯片；

其中，所述预设的安全研磨距离为所述待研磨样品的初始研磨面与所述目标位置间的距离。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述待分析芯片为单面研磨后的芯片；

采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧，包括：

采用预设嵌入方式，将待研磨样品的背面向上嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧；

若监测的变化距离不小于预设的安全研磨距离，则采用细磨工艺，对所述初级研磨体中的待研磨样品进行研磨，研磨至所述待研磨样品的目标位置，包括：

若监测的变化距离不小于预设的安全研磨距离，则采用细磨工艺，对所述初级研磨体中的所述待研磨样品的正面进行研磨，研磨至露出芯片焊盘的位置。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述待分析芯片为双面研磨后的芯片；

在研磨至露出芯片焊盘的位置后，所述方法还包括：

获取第一状态的新热熔蜡和露出芯片焊盘的待研磨样品；

将所述露出芯片焊盘的待研磨样品的正面向上，并返回执行步骤：采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧，并对所述第一状态的热熔蜡的另一侧进行塑型，得到所述第一状态的研磨体；

若监测的变化距离不小于预设的安全研磨距离，则采用细磨工艺，对所述初级研磨体中的待研磨样品进行研磨，研磨至所述待研磨样品的目标位置，包括：

若监测的变化距离不小于预设的安全研磨距离，则采用细磨工艺，对所述初级研磨体中的所述待研磨样品的正面进行研磨，研磨至露出芯片晶背的位置。