[发明专利]芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质

说明书

本申请提供一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质。该方法在获取第一状态的热熔蜡后，第一状态为软化状态，采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入第一状态的热熔蜡的一侧，并对第一状态的热熔蜡的另一侧进行塑型，得到第一状态的研磨体；研磨体中待研磨样品保持水平；基于第一状态的研磨体，获取第二状态的研磨体，第二状态为凝固状态；在固定第二状态的研磨体上塑型的热熔蜡后，对研磨体中的待研磨样品进行研磨，得到待分析芯片；对待分析芯片进行失效分析，得到分析结果。该方法提高了研磨稳定性和安全性，也提高了失效分析效率。

技术领域

本申请涉及半导体分析技术领域，具体而言，涉及一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质。

背景技术

研磨加工是目前高精密加工的加工手段之一，目前一般采用固结式研磨盘对各种脆硬物质，如半导体硅片、蓝宝石等进行研磨加工。但是现有技术中通常是将研磨样品用手指按压在研磨台上，如图1所示。若研磨台高速转动，则手指很难控制研磨样品保持不动，导致研磨稳定性不足，也会降低研磨效率和安全性。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种芯片失效分析方法、装置、电子设备及介质，用以解决现有技术存在的上述问题，提高了研磨稳定性和安全性，也提高了失效分析效率。

第一方面，提供了一种芯片失效分析方法，该方法可以包括：

获取第一状态的热熔蜡；所述第一状态为软化状态；

采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧，并对所述第一状态的热熔蜡的另一侧进行塑型，得到所述第一状态的研磨体；所述研磨体中所述待研磨样品保持水平；

基于所述第一状态的研磨体，获取第二状态的研磨体，所述第二状态为凝固状态；

在固定所述第二状态的研磨体上塑型的热熔蜡后，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到待分析芯片；

对所述待分析芯片进行失效分析，得到分析结果。

在一个可选的实现中，采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧之前，所述方法还包括：

确定所述待研磨样品是否有封装；

若没有封装，则采用AB胶将所述待研磨样品进行包裹处理，得到新的待研磨样品。

在一个可选的实现中，采用预设嵌入方式，将待研磨样品嵌入所述第一状态的热熔蜡的一侧，包括：

将所述第一状态的热熔蜡的一侧向放置在水平平面上的待研磨样品按压，以保持所述待研磨样品与所述平面平行。

在一个可选的实现中，获取第一状态的热熔蜡，包括：

按照预设软化温度，对获取的第二状态的热熔蜡进行加热，得到第一状态的热熔蜡；所述预设软化温度不小于热熔蜡的最低软化温度且小于最高软化温度；

获取第二状态的研磨体，包括：

将所述第一状态的研磨体中的热熔蜡降温至预设凝固温度，得到第二状态的研磨体。

在一个可选的实现中，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到待分析芯片，包括：

监测所述待研磨样品的正面与所述待研磨样品的背面间的变化距离；

若监测的变化距离小于预设的安全研磨距离，则采用粗磨工艺，对所述研磨体中的所述待研磨样品进行研磨，得到研磨后的初级研磨体；

若监测的变化距离不小于预设的安全研磨距离，则采用细磨工艺，对所述初级研磨体中的待研磨样品进行研磨，研磨至所述待研磨样品的目标位置；

在研磨至目标位置后，去除研磨后的研磨体的热熔蜡，得到待分析芯片；