[发明专利]一种有机图像传感器制造方法在审
| 申请号： | 202210132366.9 | 申请日： | 2022-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN114447026A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 胡军;谢芯瑀;高启仁;陈伟岸 | 申请（专利权）人： | 成都捷翼电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/30 | 分类号： | H01L27/30 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 岳子强 |
| 地址： | 610213 四川省成都市双*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机 图像传感器 制造 方法 | ||
1.一种有机图像传感器制造方法，其特征在于：包括以下步骤：
在柔性基板上制作逻辑电路构成OTFT模组；
在柔性透明底板制作有机发光二级管构成OPD模组；
将OPD模组的机发光二级管与OTFT模组的逻辑电路贴合构成有机图像传感器。
2.根据权利要求1所述的一种有机图像传感器制造方法，其特征在于：所述在柔性基板上制作逻辑电路构成OTFT模组包括以下步骤：
柔性基板上完成第一层金属电极的制程，第一层金属电极包括源极和漏极；
在第一层金属电极上完成有源层制程；
进行绝缘层制程，除漏极上开口，整面覆盖；
绝缘层制程后，完成栅电极制程；
进行栅极绝缘层制程，除漏极上开口，整面覆盖；
栅极绝缘层完成后，进行像素电极层制程，像素电极层通过开口与漏极连通。
3.根据权利要求2所述的一种有机图像传感器制造方法，其特征在于：所述第一层金属电极采用溅镀机金属，所述第一层金属电极的厚度为0.1～1um。
4.根据权利要求2所述的一种有机图像传感器制造方法，其特征在于：所述有源层为硅或有机半导体材料，所述有源层的厚度为20～100nm。
5.根据权利要求2所述的一种有机图像传感器制造方法，其特征在于：所述栅极绝缘层的厚度大于绝缘层的厚度。
6.根据权利要求1、2或5所述的一种有机图像传感器制造方法，其特征在于：所述绝缘层的厚度为0.1～1um。
7.根据权利要求1所述的一种有机图像传感器制造方法，其特征在于：所述在柔性透明底板制作有机发光二级管构成OPD模组包括以下步骤：
在柔性透明底板涂布透明金属电极层；
在金属电极上涂布OPD功能层；
在OPD功能层上涂粘结剂材料构成粘接层；
粘接层涂布完成后敷上保护膜。
8.根据权利要求7所述的一种有机图像传感器制造方法，其特征在于：所述柔性透明底板为PET或PI。
9.根据权利要求7所述的一种有机图像传感器制造方法，其特征在于：所述透明金属电极层为纳米金属材料或PEDOT:PSS。
10.根据权利要求7所述的一种有机图像传感器制造方法，其特征在于：所述粘结剂材料为OCA胶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
