[发明专利]一种半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，位于所述衬底的一侧，所述外延层远离所述衬底的一侧包括沟槽；

氧化层，位于所述沟槽内；

栅极多晶硅层和源极多晶硅层，均内嵌于所述氧化层中；所述栅极多晶硅层和所述源极多晶硅层之间以所述氧化层隔开，所述氧化层至少暴露所述栅极多晶硅层的远离所述衬底的表面；

体区和源区，均形成于所述外延层的远离所述衬底的一端中；所述体区和所述源区均位于所述栅极多晶硅层的左右两侧；相对于所述源区，所述体区位于所述源区靠近所述衬底的一侧；

源极电极，位于所述体区远离所述衬底的一侧，并与所述源区以及所述源极多晶硅层电连接；

其中，所述源极多晶硅层包括至少两层源极多晶硅子层，至少两层的源极多晶硅子层沿垂直于衬底的方向层叠设置；所述栅极多晶硅层的掺杂离子的类型与每一源极多晶硅子层的掺杂离子的类型相反，并且，靠近沟槽底部的源极多晶硅子层掺杂离子的浓度低于远离沟槽底部的源极多晶硅子层掺杂离子的浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，同一源极多晶硅子层中的掺杂离子的浓度相同。

3.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，同一源极多晶硅子层中的掺杂离子的浓度呈梯度分布，并且掺杂离子的浓度与掺杂位置相对沟槽底部的高度正相关。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，

所述衬底、所述外延层、所述源区和所述栅极多晶硅层的掺杂离子的类型均为P型；所述体区和所述源极多晶硅层的掺杂离子的类型均为N型；

或者，所述衬底、所述外延层、所述源区和所述栅极多晶硅层的掺杂离子的类型均为N型；所述体区和所述源极多晶硅层的掺杂离子的类型为P型。

5.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述栅极多晶硅层位于所述源极多晶硅层远离所述衬底的一侧；

所述栅极多晶硅层与所述沟槽之间的所述氧化层为第一氧化层；

所述栅极多晶硅层与所述源极多晶硅层之间的所述氧化层为中间氧化层；

所述源极多晶硅层与所述沟槽之间的所述氧化层为第二氧化层；

其中，所述中间氧化层和所述第一氧化层一体成型。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述栅极多晶硅层环绕所述源极多晶硅层；

所述氧化层暴露所述栅极多晶硅层的远离所述衬底的表面和所述源极多晶硅层的远离所述衬底的表面；所述栅极多晶硅层的远离所述衬底的表面与所述源极多晶硅层的远离所述衬底的表面齐平；所述栅极多晶硅层靠近所述衬底的表面与所述沟槽的底部之间的距离，小于所述源极多晶硅层靠近所述衬底的表面与所述沟槽的底部之间的距离；

所述栅极多晶硅层与所述沟槽之间的所述氧化层为第一氧化层；

所述栅极多晶硅层与所述源极多晶硅层之间的所述氧化层为中间氧化层；

所述源极多晶硅层与所述沟槽之间的所述氧化层为第二氧化层；

其中，所述第一氧化层、所述中间氧化层和所述第二氧化层一体成型。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括：漏极电极，所述漏极电极位于所述衬底远离所述外延层的一侧并与所述衬底电连接。