[发明专利]包括具有均匀的灵敏度的像素的图像传感器在审
申请号: | 202210146728.X | 申请日: | 2022-02-17 |
公开(公告)号: | CN115020431A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 琴东旻;李允基;朴俊城;李东奎;金范锡;李光熙;李太星 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;李竞飞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 具有 均匀 灵敏度 像素 图像传感器 | ||
提供了一种图像传感器,该图像传感器为具有相同颜色的滤色器的像素提供了均匀的灵敏度以提高图像质量。图像传感器包括:衬底;第一栅格图案,其设置在衬底上并且包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁;第一像素,其包括第一光电转换元件和第一滤色器;以及第二像素,其包括第二光电转换元件和第二滤色器。第一滤色器接触第一侧壁,第二滤色器接触第二侧壁。第一滤色器和第二滤色器为相同颜色的滤色器,并且第一滤色器的第一厚度大于第二滤色器的第二厚度。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年3月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2021-0027796的优先权,该申请的公开内容以引用方式全部并入本文中。
技术领域
本公开涉及一种图像传感器。更具体地,本公开涉及一种包括具有均匀的灵敏度的像素的图像传感器。
背景技术
电子装置通常包括图像传感器。图像传感器是能够将光学信息转换为电信号的半导体部件。因此,图像传感器通常用于为电子装置提供图像捕获功能。图像传感器的类型包括电荷耦合装置(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。
CMOS图像传感器可以缩写为CIS(CMOS图像传感器)。CIS可以具有二维布置的多个像素。像素中的每一个可以包括光电二极管(PD)。光电二极管可以将入射光转换为电信号。
图像传感器用于诸如数码相机、摄像机、智能电话、游戏机、安全相机、医疗微型相机和机器人的各种应用中。已经在继续研究图像传感器领域以提高所生成的图像的质量。
发明内容
本公开的各方面提供了一种为具有相同颜色的滤色器的像素提供均匀的灵敏度以提高图像质量的图像传感器。
然而,本公开的各方面不限于在本文中所阐述的。通过参考以下给出的本公开的详细描述,本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加显而易见。
根据本公开的实施例,图像传感器包括:衬底;第一栅格图案,其设置在衬底上并且包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁;第一像素,其包括第一光电转换元件和第一滤色器;以及第二像素,其包括第二光电转换元件和第二滤色器。第一滤色器接触第一侧壁,第二滤色器接触第二侧壁,第一光电转换元件和第二光电转换元件设置在衬底内部,第一滤色器和第二滤色器设置在衬底上,第一滤色器和第二滤色器为相同颜色的滤色器,并且第一滤色器的第一厚度大于第二滤色器的第二厚度。
根据本公开的实施例,图像传感器包括:衬底;第一栅格图案,其设置在衬底上并且包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁;第一像素,其包括第一光电转换元件和第一滤色器;以及第二像素,其包括第二光电转换元件和第二滤色器。第一滤色器接触第一侧壁,第二滤色器接触第二侧壁,第一光电转换元件和第二光电转换元件设置在衬底内部,第一滤色器和第二滤色器设置在衬底上,第一滤色器和第二滤色器为相同颜色的滤色器,第一滤色器具有凸形,并且第二滤色器具有凹形。
根据本公开的实施例,图像传感器包括:衬底;第一像素,其包括设置在衬底内部的第一光电转换元件和设置在衬底上的第一滤色器;第二像素,其包括设置在衬底内部的第二光电转换元件和设置在衬底上的第二滤色器;以及第三像素,其设置在第一像素与第二像素之间,并且包括设置在衬底内部的第三光电转换元件和设置在衬底上的第三滤色器。第二滤色器不接触第一滤色器,第二滤色器和第三滤色器为相同颜色的滤色器,第一滤色器为颜色与第二滤色器和第三滤色器不同的滤色器,并且第三滤色器的第一厚度大于第二滤色器的第二厚度。
附图说明
通过参照附图详细地描述本公开的实施例,本公开的以上和其它实施例和特征将变得更加显而易见,在附图中:
图1是根据一些实施例的图像感测装置的框图。
图2是示出图1的图像传感器的概念性布局的示图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的