[发明专利]半导体二极管泵浦紫外激光器

权利要求书

1.一种半导体二极管泵浦紫外激光器，其特征在于，包括：基频光输出组件、Q开关(70)、三倍频晶体(80)、二倍频晶体(90)和谐振组件；

所述基频光输出组件包括激光晶体、泵浦光耦合件和半导体二极管，所述激光晶体的两侧分别设有所述半导体二极管，所述激光晶体和所述半导体二极管之间设有所述泵浦光耦合件；

所述谐振组件包括泵浦侧平面镜、开关侧平面镜(50)和倍频侧平面镜(60)；所述泵浦侧平面镜设置在所述激光晶体和所述泵浦光耦合件，所述Q开关(70)设置在所述基频光输出组件和所述开关侧平面镜(50)之间，所述三倍频晶体(80)和所述二倍频晶体(90)设置在所述开关侧平面镜(50)和倍频侧平面镜(60)之间；

所述基频光输出组件的数量为多个，每个所述激光晶体两侧的所述泵浦侧平面镜输出的基频光汇合进入所述Q开关(70)。

2.根据权利要求1所述的半导体二极管泵浦紫外激光器，其特征在于，同一个所述基频光输出组件中，所述激光晶体两侧的所述泵浦侧平面镜中的一个为左泵浦侧平面镜，另一个为右泵浦侧平面镜；所述左泵浦侧平面镜和所述右泵浦侧平面镜相对设置，所述右泵浦侧平面镜输出基频光。

3.根据权利要求2所述的半导体二极管泵浦紫外激光器，其特征在于，多个所述基频光输出组件中，第一个所述基频光输出组件中，所述左泵浦侧平面镜竖直设置，所述右泵浦侧平面镜相较于所述左泵浦侧平面镜倾斜设置；

相邻两个所述基频光输出组件中，前一个所述激光晶体的一侧的所述右泵浦侧平面镜与后一个所述激光晶体的一侧的所述左泵浦侧平面镜平行设置；最后一个所述激光晶体的一侧的所述右泵浦侧平面镜与所述开关侧平面镜(50)平行设置。

4.根据权利要求3所述的半导体二极管泵浦紫外激光器，其特征在于，所述基频光输出组件的数量为两个，一个所述基频光输出组件为第一基频光输出组件，另一个所述基频光输出组件为第二基频光输出组件，相应的，所述第一基频光输出组件包括第一激光晶体(21)、第一泵浦光耦合件(31)、第一左半导体二极管(11)和第一右半导体二极管(12)，所述第一激光晶体(21)的一侧设有第一左泵浦侧平面镜(41)，另一侧设有第一右泵浦侧平面镜(42)，所述第二基频光输出组件包括第二激光晶体(22)、第二泵浦光耦合件(32)、第二左半导体二极管(13)和第二右半导体二极管(14)，所述第二激光晶体(22)的二侧设有第二左泵浦侧平面镜(43)，另一侧设有第二右泵浦侧平面镜(44)；所述第二右泵浦侧平面镜(44)与所述第二左泵浦侧平面镜(43)平行设置。

5.根据权利要求4所述的半导体二极管泵浦紫外激光器，其特征在于，所述第一右泵浦侧平面镜(42)的倾斜角度使光线的入射角度为14°。

6.根据权利要求5所述的半导体二极管泵浦紫外激光器，其特征在于，所述开关侧平面镜(50)的迎光面的垂直线，与所述倍频侧平面镜(60)的迎光面的垂直线形成的夹角的角度为161°。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体二极管泵浦紫外激光器，其特征在于，所述泵浦光耦合件包括两个非球面透镜，两个所述非球面透镜平行间隔设置。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的半导体二极管泵浦紫外激光器，其特征在于，所述半导体二极管的输出功率大于18瓦。

9.根据权利要求1所述的半导体二极管泵浦紫外激光器，其特征在于，所述激光晶体为Nd:YVO₄，所述激光晶体的尺寸为3×3×16mm³；所述的三倍频晶体(80)为II类相位匹配方式LBO晶体，所述三倍频晶体(80)的尺寸为3×3×19mm³。

10.根据权利要求1所述的半导体二极管泵浦紫外激光器，其特征在于，所述三倍频晶体(80)上设有第一制冷片，所述二倍频晶体(90)上设有第二制冷片。