[发明专利]半导体二极管泵浦紫外激光器在审

专利信息
申请号: 202210148862.3 申请日: 2022-02-18
公开(公告)号: CN114498271A 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 侯杰;李旭 申请(专利权)人: 北京华岸科技有限公司
主分类号: H01S3/0941 分类号: H01S3/0941;H01S3/109;H01S3/081
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 毕翔宇
地址: 102600 北京市大兴区北京经济技术开*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 半导体 二极管 紫外 激光器
【说明书】:

发明涉及一种半导体二极管泵浦紫外激光器。所述半导体二极管泵浦紫外激光器,包括:基频光输出组件、Q开关、三倍频晶体、二倍频晶体和谐振组件;基频光输出组件包括激光晶体、泵浦光耦合件和半导体二极管,激光晶体的两侧分别设有半导体二极管,激光晶体和半导体二极管之间设有泵浦光耦合件;谐振组件包括泵浦侧平面镜、开关侧平面镜和倍频侧平面镜;泵浦侧平面镜设置在激光晶体和泵浦光耦合件,Q开关设置在基频光输出组件和开关侧平面镜之间,三倍频晶体和二倍频晶体设置在开关侧平面镜和倍频侧平面镜之间;基频光输出组件的数量为多个,每个激光晶体两侧的泵浦侧平面镜输出的基频光汇合进入Q开关。

技术领域

本发明涉及紫外激光装置技术领域,尤其是涉及一种半导体二极管泵浦紫外激光器。

背景技术

紫外激光器是一种产生紫外光束的激光器,紫外激光器从结构分为固体紫外激光器(光纤紫外激光器),气体紫外激光器,半导体紫外激光器。紫外激光器的输出波长短、能量集中、分辨率高,聚焦点可小到几个微米数量级,在精密材料微加工、紫外固化、光刻等领域有广泛的应用前景。尤其,半导体二极管泵浦紫外激光器具有光束质量好、功率稳定性好、可靠性高、使用方便、体积小等诸多优点。半导体二极管泵浦紫外激光器通产管采用腔内倍频技术实现输出。

一种半导体二极管泵浦紫外激光器,包括半导体二极管泵浦源和激光晶体,半导体二极管泵浦源的输出端依次布置有第一非球面透镜和第二非球面透镜,第一非球面透镜和第二非球面透镜构成非球面光学耦合系统,第二非球面透镜的输出端布置第一平面镜,第一平面镜的输出端布置激光晶体,激光晶体衔接透镜,透镜的输出端布置Q开关,Q开关的输出端布置第二平面镜,第二平面镜衔接三倍频晶体,三倍频晶体依次衔接二倍频晶体和第三平面镜;半导体二极管泵浦源输出808nm泵浦光经过由第一非球面透镜和第二非球面透镜组成的非球面光学耦合系统以及第一平面镜耦合到激光晶体内,产生的1064nm激光经过由第一平面镜、第二平面镜和第二平面镜构成的谐振腔内振荡并由Q开关调制,调制的1064nm基频光两次经过二倍频晶体将1064nm基频光转换为532nm倍频光,未二次倍频转换的剩余1064nm基频光与532nm倍频光经过三倍频晶体进行和频,得到的355nm紫外激光从三倍频品体布鲁斯特角切割的一面输出。存在的问题是,上述半导体二极管泵浦紫外激光器的输出功率低。

发明内容

本发明的目的在于提供半导体二极管泵浦紫外激光器,以在一定程度上解决现有技术中存在的输出功率低的技术问题。

本发明提供了一种半导体二极管泵浦紫外激光器,包括:基频光输出组件、Q开关、三倍频晶体、二倍频晶体和谐振组件;所述基频光输出组件包括激光晶体、泵浦光耦合件和半导体二极管,所述激光晶体的两侧分别设有所述半导体二极管,所述激光晶体和所述半导体二极管之间设有所述泵浦光耦合件;

所述谐振组件包括泵浦侧平面镜、开关侧平面镜和倍频侧平面镜;所述泵浦侧平面镜设置在所述激光晶体和所述泵浦光耦合件,所述Q开关设置在所述基频光输出组件和所述开关侧平面镜之间,所述三倍频晶体和所述二倍频晶体设置在所述开关侧平面镜和倍频侧平面镜之间;

所述基频光输出组件的数量为多个,每个所述激光晶体两侧的所述泵浦侧平面镜输出的基频光汇合进入所述Q开关。

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