[发明专利]一种多端口Ram的实现方法在审

专利信息
申请号: 202210153560.5 申请日: 2022-02-18
公开(公告)号: CN114519023A 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 郑利 申请(专利权)人: 芯河半导体科技(无锡)有限公司
主分类号: G06F13/38 分类号: G06F13/38
代理公司: 北京神州信德知识产权代理事务所(普通合伙) 11814 代理人: 朱俊杰
地址: 214135 江苏省无锡市新吴区菱*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 多端 ram 实现 方法
【权利要求书】:

1.一种多端口Ram的实现方法,其特征在于,该方法包括如下步骤:

S1对多端口的Ram进行功能块定义,包括存储数据区bank、缓存储数据区buffer、标记数据区flag_ram;

S2对写进行逻辑判断处理,包含独立写和多个写的处理,根据flag_ram以及待写入的bank判断写入bank还是buffer,并判断是否需要更新flag_ram或对buffer数据进行搬移处理;

S3对读进行逻辑判断处理,根据读bank的操作地址,同时去读对应地址的bank、buffer以及flag_ram,判断读的数据来自对应地址的bank还是buffer;

S4对构成所述多端口Ram的bank、buffer以及flag_ram进行判断,若所述bank、buffer以及flag_ram由多端口Ram构成,则通过简单端口的复制或拼接的方式进行进一步的处理,从而实现多端口Ram。

2.根据权利要求1所述的多端口Ram的实现方法,其特征在于:所述多端口Ram使用的bank、buffer以及flag_ram由简单端口1w1r Ram以及简单双端口2wr Ram构成。

3.根据权利要求1所述的多端口Ram的实现方法,其特征在于:所述flag_ram中存储的数据标识buffer中所存储的数据对应的bank标识以及所存储的数据是否有效。

4.根据权利要求1所述的多端口Ram的实现方法,其特征在于:根据底层Ram核的大小以及拼接Ram的实现逻辑在容量和面积上做一个平衡。

5.根据权利要求1所述的多端口Ram的实现方法,其特征在于:所述多端口Ram构成的bank、buffer数据位宽等同于所实现的Ram,所述flag_ram数据位宽等于bank的个数;bank、buffer和flag_ram的深度为所实现Ram的N分之一。

6.根据权利要求1所述的多端口Ram的实现方法,其特征在于:所述端口Ram的构成的bank、buffer以及flag_ram的频率需要与所述多端口Ram保持一致。

7.根据权利要求1所述的多端口Ram的实现方法,其特征在于:可以通过多个简单端口以及简单双端口组合实现多端口Ram。

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