[发明专利]一种多端口Ram的实现方法在审

专利信息
申请号: 202210153560.5 申请日: 2022-02-18
公开(公告)号: CN114519023A 公开(公告)日: 2022-05-20
发明(设计)人: 郑利 申请(专利权)人: 芯河半导体科技(无锡)有限公司
主分类号: G06F13/38 分类号: G06F13/38
代理公司: 北京神州信德知识产权代理事务所(普通合伙) 11814 代理人: 朱俊杰
地址: 214135 江苏省无锡市新吴区菱*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 多端 ram 实现 方法
【说明书】:

发明涉及Ram技术领域,尤其涉及多端口Ram的实现方法,其中,该方法包括:使用简单端口1w1r Ram或者同时结合简单双端口2wr Ram这种应用较为普遍的Ram来实现多端口的Ram,此种方式对于频率无特殊需求,实现方式更为简单高效、且对Ram芯片面积需求更小。

技术领域

本发明涉及Ram技术领域,尤其涉及多端口Ram的实现方法。

背景技术

QoS是Quality of Service(服务质量)的简称,其目的是针对各种业务的不同需求,为其提供端到端的服务质量保证。QoS技术在当今的互联网中应用越来越多,其作用越来越重要。如果没有Qos技术,业务的服务质量就无法保证。而Ram是QoS中的一个重要使用器件,随着网络技术的飞速发展,带宽的变大,对多端口的需求越来越迫切。目前多端口的各种实现很复杂或者很粗暴通过容量的累积或者通过限制频率等方式来实现,并且随着对Ram深度的需求的增加,对于芯片的面积和功耗来说也是一个不小的挑战。

目前实现多端口的方式有以下几种:

1、通过复制的方式来扩大读端口,但无法增加写端口;

2、通过倍频的方式来增加端口,但对于频率的限制增加;

3、存储数据区bank切分,实现方式是将Ram切分成n个bank,但是每一个bank固定分配给一组固定的wr(r=read,w=write,读写)使用,不同wr之间无法互相共享Ram,因此实现的不是真正意义上的多端口;

4、一种称之为LVT(live value table存在值表)的实现方式,如图2所示,图中n0~n-1为完全相同的Ram,个数取决于写个数,LVT的作用用以记录当前某地址的数据存在的最新位置。LVT为mwnr(m个写口,n个读口,m和n为任意大于1的数字)的多口Ram,使用倍频方式实现,实现复杂且Ram资源消耗大,对频率也有要求。因此急需一种更为简单高效并且面积更小的多端口Ram的实现方式。

针对上述缺点,本技术发明解决以下问题:

多端口Ram的实现方式简单、高效;

多端口Ram资源消耗少、面积更小;

多端口Ram使用时频率无特殊需求。

为了解决上述问题,本发明提出了使用简单端口(1w1r)或者同时结合简单双端口(2wr)这种应用较为普遍的Ram来实现2w1r的Ram,此种方式对于频率无特殊需求,同所实现的Ram保持一致即可。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题,本发明提出了一种多端口Ram的实现方式。

为实现上述目的,本发明采用如下的技术使用简单端口(1w1r)或者同时结合简单双端口(2wr)这种应用较为普遍的Ram来实现多端口Ram,此种方式对于频率无特殊需求,实现简单、高效,资源消耗少,面积更小。

在本发明实施例中,提出了一种多端口Ram的实现方法,该方法包括如下步骤:

S1对多端口的Ram进行功能块定义,包括存储数据区bank、缓存储数据区buffer、标记数据区flag_ram;

S2对写进行逻辑判断处理,包含独立写和多个写的处理,根据flag_ram以及待写入的bank判断写入bank还是buffer,并判断是否需要更新flag_ram或对buffer数据进行搬移处理;

S3对读进行逻辑判断处理,根据读bank的操作地址,同时去读对应地址的bank、buffer以及flag_ram,判断读的数据来自对应地址的bank还是buffer;

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