[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体装置的制造方法包括：

将半导体器件晶片吸附于吸盘机构并使所述半导体器件晶片水平旋转；

通过施加有超声波的立式主轴使旋转刀具水平旋转；

通过水平旋转的所述旋转刀具对水平旋转的所述半导体器件晶片的外周端部进行修整，由此在所述外周端部形成槽；

在所述修整中，通过刀具成形用砂轮对水平旋转的所述旋转刀具的前端形状进行修正；以及

在所述修整后，通过水平旋转的杯形砂轮对水平旋转的所述半导体器件晶片的一个主面进行磨削。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体装置的制造方法包括：

在所述修整中，拍摄所述槽的形状；

基于拍摄得到的图像数据对所述槽的形状进行分析；以及

基于所述分析的槽的形状，通过所述刀具成形用砂轮对所述旋转刀具的所述前端形状进行修正。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体装置的制造方法包括：

在所述修整中，对所述槽投射平行光；以及

基于所述平行光的影子的形状，对所述槽的形状进行分析。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体装置的制造方法包括：

一边调整所述刀具成形用砂轮的支承角度一边进行所述旋转刀具的所述前端形状的修正。

5.一种半导体装置的制造装置，其特征在于，

所述半导体装置的制造装置包括吸盘机构、立式主轴、超声波振动装置、旋转刀具以及刀具成形用砂轮，

所述吸盘机构构成为吸附半导体器件晶片并使所述半导体器件晶片水平旋转，

所述立式主轴构成为使所述旋转刀具水平旋转，

所述超声波振动装置构成为对立式主轴施加超声波，

所述旋转刀具构成为一边通过施加有所述超声波的所述立式主轴水平旋转一边修整吸附于所述吸盘机构并水平旋转的所述半导体器件晶片的外周端部，由此在所述外周端部形成槽，

所述刀具成形用砂轮构成为通过与水平旋转的所述旋转刀具的前端抵接，修正所述旋转刀具的前端形状。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造装置，其特征在于，

所述半导体装置的制造装置还包括观察单元，所述观察单元拍摄所述槽的形状，并基于拍摄得到的图像数据对所述槽的形状进行分析，

所述刀具成形用砂轮基于所述分析的槽的形状进行所述旋转刀具的前端形状的修正。