[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置

说明书

本发明提供一种半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置。半导体装置的制造方法包括：将半导体器件晶片吸附于吸盘机构并使半导体器件晶片水平旋转；通过施加有超声波的立式主轴使旋转刀具水平旋转；通过水平旋转的所述旋转刀具对水平旋转的所述半导体器件晶片的外周端部进行修整，由此在所述外周端部形成槽；在所述修整中，通过刀具成形用砂轮对水平旋转的所述旋转刀具的前端形状进行修正；以及在所述修整后，通过水平旋转的杯形砂轮对水平旋转的所述半导体器件晶片的一个主面进行磨削。

相关申请的交叉参考

本申请要求2021年03月11日向日本特许厅提交的日本专利申请第2021-039546号的优先权，因此将所述日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置。

背景技术

在半导体装置的制造中，要求对更薄层化的半导体器件晶片进行封装。通过使用了固定磨粒砂轮的磨削加工进行半导体器件晶片的薄层化。在使半导体器件晶片薄层化的工序中，如果晶片边缘产生崩裂，则产生半导体器件芯片的成品率降低的问题。因此已知的是，为了抑制半导体器件晶片的崩裂，在用于薄层化的磨削加工之前，进行晶片边缘的修整(倒角)。

例如，在日本专利公开公报特开2009-39808号中公开了使用杯形砂轮型的金刚石磨削砂轮进行半导体基板的边缘磨削加工(倒角加工)。在日本专利公开公报特开2009-39808号中，使用水平旋转的金刚石磨削砂轮对水平旋转的半导体基板进行边缘磨削加工。具体而言，以使金刚石磨削砂轮的外周缘部的垂直面与半导体基板的外周缘部的垂直面重叠的方式使水平旋转的金刚石磨削砂轮从上方下降，进行向半导体基板的边缘面的磨削切入。

另外，在日本专利公开公报特开2011-142201号中公开了使用通过水平轴垂直旋转的金刚石制的边缘磨削砂轮的半导体基板的边缘磨削工序。在日本专利公开公报特开2011-142201号的边缘磨削工序中，使垂直旋转的边缘磨削砂轮下降，使水平旋转的半导体基板的外周缘的厚度减小到所希望的厚度。

另外，在日本专利公开公报特开平9-216152号中公开了一种端部磨削装置，通过沿着Y轴方向(水平方向)配置的主轴使金刚石砂轮垂直旋转，使金刚石砂轮的外周面与水平旋转的半导体晶片的外周部分抵接进行磨削。

另外，在日本专利公开公报特开2020-31106号中公开了如下的一种技术：通过吸盘机构使半导体器件晶片水平旋转，并且通过施加有超声波的立式主轴使旋转刀具水平旋转，通过旋转刀具对半导体器件晶片的周侧面进行修整。

另外，已知有WSS(晶片支撑系统(Wafer Support System))，所述WSS是如下的方式：将BG胶带(背面研磨胶带(Back Grind Tape))粘贴到半导体器件晶片的器件面作为磨削保护层、以及经由树脂在半导体器件晶片的器件面形成支撑晶片。

发明内容

本发明的实施方式的半导体装置的制造方法包括：将半导体器件晶片吸附于吸盘机构并使所述半导体器件晶片水平旋转；通过施加有超声波的立式主轴使旋转刀具水平旋转；通过水平旋转的所述旋转刀具对水平旋转的所述半导体器件晶片的外周端部进行修整，由此在所述外周端部形成槽；在所述修整中，通过刀具成形用砂轮对水平旋转的所述旋转刀具的前端形状进行修正；以及在所述修整后，通过水平旋转的杯形砂轮对水平旋转的所述半导体器件晶片的一个主面进行磨削。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的半导体装置的制造装置的俯视图。

图2是表示本发明的实施方式的半导体装置的制造装置的边缘修整装置的主视图。

图3是表示本发明的实施方式的半导体装置的制造装置的边缘修整装置的俯视图。

图4是表示本发明的实施方式的半导体装置的制造装置的拍摄装置的图像数据的图。