[发明专利]套刻误差的补偿方法

权利要求书

1.一种套刻误差的补偿方法，其特征在于，包括：

提供参考衬底，在所述参考衬底上依次形成第一图形层与第二层图形层，收集所述第二图形层与所述第一图形层之间的套刻误差参数；

提供一衬底，在所述衬底上形成所述第一图形层；

在所述第一图形层上形成第二图形材料层与第一光刻胶层；

根据所述套刻误差参数，对所述第一光刻胶层进行衬底旋转量补偿与曝光场涨缩量补偿；

对所述第一光刻胶层进行曝光，形成图形化的第一光刻胶层；

以所述图形化的第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二图形材料层以形成所述第二图形层。

2.根据权利要求1所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，提供多个所述参考衬底以收集多组套刻误差参数。

3.根据权利要求1所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，在对所述第一光刻胶层进行曝光的曝光机台内进行补偿。

4.根据权利要求1所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述第二图形层为金属层，所述第一图形层为通孔。

5.根据权利要求4所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一图形层的步骤包括：

在所述衬底上依次形成介质层与第二光刻胶层；

对所述第二光刻胶层进行曝光与显影，形成图形化的第二光刻胶层；

以所述图形化的第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述介质层以形成通孔图形；

去除所述图形化的第二光刻胶层，填充导电材料在所述通孔图形内。

6.根据权利要求5所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，填充导电材料在所述通孔图形内的步骤包括：

填充导电材料，所述导电材料填满所述通孔图形并覆盖所述介质层；

对所述导电材料进行平坦化至暴露出所述介质层。

7.根据权利要求6所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述平坦化包含化学机械研磨。

8.根据权利要求7所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，在所述第一图形层上形成第二图形材料层与第一光刻胶层的步骤包括：

在所述介质层与所述通孔上形成金属材料层；

在所述金属材料层上形成第一光刻胶层。

9.根据权利要求8所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，形成所述第二图形层之后，所述补偿方法还包括：

去除所述图形化的第一光刻胶层。

10.根据权利要求9所述的套刻误差的补偿方法，其特征在于，所述导电材料包含钨，所述金属层的材质包含铝或/和铜。