[发明专利]半导体工艺设备、其升降机构及其控制方法

说明书

本申请公开一种半导体工艺设备、其升降机构及其控制方法，属于半导体设备技术领域。半导体工艺设备包括反应腔室，所述升降机构设置于所述反应腔室的下方，所述升降机构包括伺服电机、顶针和拉压力检测件；所述拉压力检测件的一端与所述伺服电机的驱动端连接，所述拉压力检测件的另一端与所述顶针连接，用于检测所述顶针所受的拉压力。该方案能够解决粘片检测精度较低的问题。

技术领域

本申请属于半导体设备技术领域，具体涉及一种半导体工艺设备、其升降机构及其控制方法。

背景技术

随着半导体行业的不断发展，近年来半导体刻蚀领域的刻蚀材料不断丰富及多样化，已经由传统的Si刻蚀逐渐涵盖了GaAs、SiC、蓝宝石等材料的刻蚀，由于材料本身的特性，例如：GaAs和SiC易碎，且价格昂贵，刻蚀过程中常常发生粘片的现象，进而带来比较严重的经济损失。

目前可以通过背He检测法和力矩检测法判断是否出现粘片现象，其中，力矩检测法利用伺服电机输出的力矩参数，来检测晶圆升起过程中的力矩变化，从而判断是否发生粘片现象。

然而，发生粘片现象时的粘片程度有所不同，当粘片比较严重时，相关的数据会出现明显异常，通过背He检测法和力矩检测法可以及时发现粘片现象，但如果粘片程度较轻，那么所呈现的数据变化就比较小，无论是背He检测法还是力矩检测法都无法及时发现粘片现象。因此，传统的粘片检测方法存在精度低的问题。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种半导体工艺设备、其升降机构及其控制方法，能够解决粘片检测精度较低的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的升降机构，半导体工艺设备包括反应腔室，所述升降机构设置于所述反应腔室的下方，所述升降机构包括伺服电机、顶针和拉压力检测件；

所述拉压力检测件的一端与所述伺服电机的驱动端连接，所述拉压力检测件的另一端与所述顶针连接，用于检测所述顶针所受的拉压力。

第二方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，其包括反应腔室、静电卡盘以及上述升降机构，所述静电卡盘设置于所述反应腔室内，所述升降机构设置于所述反应腔室的下方，所述升降机构与所述静电卡盘相连。

第三方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的控制方法，应用于上述半导体工艺设备，其包括：

获取所述伺服电机输出的力矩值；

获取所述拉压力检测件的拉压力值；

根据所述力矩值和所述拉压力值确定所述晶圆的粘片程度。

本申请实施例中，伺服电机可以监测工艺过程中自身所受到的力矩，与此同时，拉压力检测件可以检测顶针所受到的拉压力，即使粘片程度较轻，也可以结合力矩值和拉压力值的变化情况更及时地发现已经出现的粘片现象。可见，该方案用于判断是否出现粘片现象的依据同时包括力矩值和拉压力值，因此可以更准确地识别粘片现象，以此提升粘片检测精度。

附图说明

图1为本申请实施例公开的升降机构的结构示意图；

图2至图5为本申请实施例公开的升降机构的部分结构的示意图；

图6为本申请实施例公开的第一传动件和第二传动件的爆炸图；

图7为本申请实施例公开的控制方法的流程示意图；

图8为未发生粘片现象时力矩与驱动端位置之间的关系图；

图9为发生粘片现象时力矩与驱动端位置之间的关系图；

图10为未发生粘片时拉压力与驱动端位置之间的关系图；